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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120065287A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510213964.2
申请日：2025-02-25
Applicant: 南华大学
Abstract: 开放环境下氡浓度测量装置及测量方法，涉及气氡浓度测量技术领域。开放环境下氡浓度测量装置，包括子体收集组件和感应处理组件；子体收集组件包括壳体、滤纸和气泵；感应处理组件包括外壳、遮光膜、电路板和芯片板；电路板上安装有CMOS图像传感器，芯片板上安装有SoC芯片，芯片板与电路板通信连接。一种气氡浓度测量方法，基于上述的开放环境下氡浓度测量装置。本发明的优点在于：结构简单，体积小巧，便于携带，相比背景技术中的氡浓度测量装置，从技术路线层面进行了改进，选择了不同的测量介质(放射性气溶胶)，并相应的设计了测量介质的收集结构，适用于开放环境(室外环境)下的气氡浓度测量。
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公开(公告)号：CN119936960A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510207534.X
申请日：2025-02-25
Applicant: 南华大学
Abstract: 基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统及方法，涉及中子测量技术领域。基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统，包括探测器；探测器包括有源像素传感器；有源像素传感器的感光面无玻璃封装，有源像素传感器的感光面有层状的中子转换材料。一种中子测量方法，应用于基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统；方法如下：中子与目标元素发生核反应，产生的α射线入射到有源像素传感器的感光面上，使有源像素传感器产生辐射响应信号；通过统计辐射响应信号即实现对中子的间接测量。本发明的优点在于：将特定的中子转换材料与有源像素传感器相结合，将中子探测转化为有源像素传感器擅长的α粒子探测，显著提高了中子(尤其是热中子)的探测效率。
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公开(公告)号：CN117219304A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311124955.3
申请日：2023-09-03
Applicant: 南华大学
Abstract: 放射源快速定位装置及定位方法，涉及核辐射探测技术领域。放射源快速定位装置，包括外壳组件、准直器组件、摄像头和盖革管核辐射传感器；外壳组件包括顶盖和底座；准直器组件包括准直器A和准直器B；摄像头包括镜头和有源像素传感器；镜头与准直器A的内孔形成滑动配合；有源像素传感器位于镜头内部并正对镜头布置；多个盖革管核辐射传感器分别滑动安装在各个准直器B的内孔中。本发明的优点在于，利用了盖革管核辐射传感器在极低辐射强度下的高灵敏度探测优势和有源像素传感器在低‑高辐射强度下的辐射响应性，满足了搜寻定位放射源时的宽量程探测要求，能够实现在各种复杂环境中的放射性水平探查。
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公开(公告)号：CN119916430A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510207536.9
申请日：2025-02-25
Applicant: 南华大学
IPC: G01T3/00
Abstract: 双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统，包括探测器；探测器包括感光面相对布置的两个CMOS传感器和设置在两个CMOS传感器的感光面之间的中子转换材料；中子转换材料用于与中子发生核反应并产生α射线。本发明的优点在于：将中子转换材料设置在感光面相对布置的两个CMOS传感器之间，将中子探测转化为CMOS传感器敏感的α粒子探测，既提高了中子(尤其是热中子)的探测效率，又实现了几乎覆盖整个球形空间的广域中子测量角度。
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公开(公告)号：CN119882016A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510207538.8
申请日：2025-02-25
Applicant: 南华大学
IPC: G01T3/00
Abstract: 基于辐射响应信号的中子‑伽马混合辐射甄别方法，依托于纳米镀层CMOS传感器中子测量系统；纳米镀层CMOS传感器中子测量系统，包括探测器；探测器包括CMOS传感器；CMOS传感器的感光面附着有LiF薄膜；方法如下：一部分的中子使CMOS传感器产生辐射响应信号A；另一部分中子与6Li发生核反应，产生α射线和3T离子，使CMOS传感器分别产生辐射响应信号B和辐射响应信号C；γ射线使CMOS传感器产生辐射响应信号D；根据上述4种辐射响应信号在形态学和/或灰度值上的区别，实现中子‑伽马混合辐射场的甄别。本发明采用LiF薄膜与CMOS传感器相结合所形成的探测器用于中子‑伽马混合辐射场的甄别，可用于监测反应堆的核泄漏。
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