开放环境下氡浓度测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN120065287A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510213964.2

    申请日:2025-02-25

    Applicant: 南华大学

    Abstract: 开放环境下氡浓度测量装置及测量方法,涉及气氡浓度测量技术领域。开放环境下氡浓度测量装置,包括子体收集组件和感应处理组件;子体收集组件包括壳体、滤纸和气泵;感应处理组件包括外壳、遮光膜、电路板和芯片板;电路板上安装有CMOS图像传感器,芯片板上安装有SoC芯片,芯片板与电路板通信连接。一种气氡浓度测量方法,基于上述的开放环境下氡浓度测量装置。本发明的优点在于:结构简单,体积小巧,便于携带,相比背景技术中的氡浓度测量装置,从技术路线层面进行了改进,选择了不同的测量介质(放射性气溶胶),并相应的设计了测量介质的收集结构,适用于开放环境(室外环境)下的气氡浓度测量。

    一种抑制托卡马克2/1新经典撕裂模的方法、计算机可读存储介质和系统

    公开(公告)号:CN114781155A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210405242.3

    申请日:2022-04-18

    Applicant: 南华大学

    Abstract: 一种抑制托卡马克2/1新经典撕裂模的方法、计算机可读存储介质和系统,本发明通过射线追踪程序获取电子回旋(EC)波传播、吸收和电流驱动的相关信息,得到2/1共振磁面上EC波Ohkawa机制占优电流驱动(OKCD)下驱动电流的峰值大小、全高宽和驱动电流峰值所在的径向位置,若OKCD的电流剖面近似是高斯分布,则将得到的各个特征参数代入修正的卢瑟福方程中计算OKCD对2/1新经典撕裂模(NTM)的抑制效果,确定有效抑制2/1NTM的EC波发射参数和所需的最小EC波功率。本发明更容易驱动局域非感应电流,取代2/1有理磁面上缺失的自举电流,从而成功、有效地抑制2/1NTM。相比于以往利用ECCD抑制NTM的方案,本发明对于2/1模的抑制效果更佳,所需EC波频率更小。

    双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统

    公开(公告)号:CN119916430A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202510207536.9

    申请日:2025-02-25

    Applicant: 南华大学

    Abstract: 双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统,包括探测器;探测器包括感光面相对布置的两个CMOS传感器和设置在两个CMOS传感器的感光面之间的中子转换材料;中子转换材料用于与中子发生核反应并产生α射线。本发明的优点在于:将中子转换材料设置在感光面相对布置的两个CMOS传感器之间,将中子探测转化为CMOS传感器敏感的α粒子探测,既提高了中子(尤其是热中子)的探测效率,又实现了几乎覆盖整个球形空间的广域中子测量角度。

    基于辐射响应信号的中子-伽马混合辐射甄别方法

    公开(公告)号:CN119882016A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510207538.8

    申请日:2025-02-25

    Applicant: 南华大学

    Abstract: 基于辐射响应信号的中子‑伽马混合辐射甄别方法,依托于纳米镀层CMOS传感器中子测量系统;纳米镀层CMOS传感器中子测量系统,包括探测器;探测器包括CMOS传感器;CMOS传感器的感光面附着有LiF薄膜;方法如下:一部分的中子使CMOS传感器产生辐射响应信号A;另一部分中子与6Li发生核反应,产生α射线和3T离子,使CMOS传感器分别产生辐射响应信号B和辐射响应信号C;γ射线使CMOS传感器产生辐射响应信号D;根据上述4种辐射响应信号在形态学和/或灰度值上的区别,实现中子‑伽马混合辐射场的甄别。本发明采用LiF薄膜与CMOS传感器相结合所形成的探测器用于中子‑伽马混合辐射场的甄别,可用于监测反应堆的核泄漏。

    一种抑制托卡马克2/1新经典撕裂模的方法、计算机可读存储介质和系统

    公开(公告)号:CN114781155B

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202210405242.3

    申请日:2022-04-18

    Applicant: 南华大学

    Abstract: 一种抑制托卡马克2/1新经典撕裂模的方法、计算机可读存储介质和系统,本发明通过射线追踪程序获取电子回旋(EC)波传播、吸收和电流驱动的相关信息,得到2/1共振磁面上EC波Ohkawa机制占优电流驱动(OKCD)下驱动电流的峰值大小、全高宽和驱动电流峰值所在的径向位置,若OKCD的电流剖面近似是高斯分布,则将得到的各个特征参数代入修正的卢瑟福方程中计算OKCD对2/1新经典撕裂模(NTM)的抑制效果,确定有效抑制2/1NTM的EC波发射参数和所需的最小EC波功率。本发明更容易驱动局域非感应电流,取代2/1有理磁面上缺失的自举电流,从而成功、有效地抑制2/1NTM。相比于以往利用ECCD抑制NTM的方案,本发明对于2/1模的抑制效果更佳,所需EC波频率更小。

    基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统及方法

    公开(公告)号:CN119936960A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510207534.X

    申请日:2025-02-25

    Applicant: 南华大学

    Abstract: 基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统及方法,涉及中子测量技术领域。基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统,包括探测器;探测器包括有源像素传感器;有源像素传感器的感光面无玻璃封装,有源像素传感器的感光面有层状的中子转换材料。一种中子测量方法,应用于基于纳米镀层像素传感器的中子测量系统;方法如下:中子与目标元素发生核反应,产生的α射线入射到有源像素传感器的感光面上,使有源像素传感器产生辐射响应信号;通过统计辐射响应信号即实现对中子的间接测量。本发明的优点在于:将特定的中子转换材料与有源像素传感器相结合,将中子探测转化为有源像素传感器擅长的α粒子探测,显著提高了中子(尤其是热中子)的探测效率。

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