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公开(公告)号:CN113979426B
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202111387035.1
申请日:2021-11-22
Applicant: 南京金瑞立丰硬质材料科技有限公司
IPC: C01B32/15 , H01M8/1046
Abstract: 本发明公开了一种磷酸接枝纳米洋葱碳及其制备方法和应用,以纳米金刚石高温退火得到的纳米洋葱碳为原料,采用硫酸与硝酸混合酸氧化反应生成羧酸化纳米洋葱碳;与植酸混合高温水热反应,得到磷酸接枝纳米洋葱碳。本发明制备工艺简单,得到的产物为由多个石墨层形成的准球形颗粒,平均尺寸为5nm,可用于离子交换材料,特别适用于质子交换膜中的纳米填料。
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公开(公告)号:CN109305676A
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201811416838.3
申请日:2018-11-26
Applicant: 南京金瑞立丰硬质材料科技有限公司 , 江苏金海丰硬质材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石灰料中石墨态碳的去除方法,包括将纳米金刚石爆轰灰加入至低熔点碱性介质中,升温至400~500oC,加入亚硝酸盐,在400~600℃条件下,反应0.5~5小时,反应液冷却后,加水溶解分离出金刚石粉末,过滤、水洗、干燥,得纯化纳米金刚石产品的步骤。本发明对于灰料中金属氧化物及盐类、二氧化硅含量较小的情况下,可以不经进一步处理,直接提供高纯度产品,该方法具有生产工艺简单、设备要求较低、产品纯度高、生产工艺安全环保等优点。
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公开(公告)号:CN114043375A
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN202111440718.9
申请日:2021-11-30
Applicant: 南京金瑞立丰硬质材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了蓝宝石芯片抛光领域的,一种蓝宝石芯片研磨、抛光供液系统及装置,包括底座,所述底座顶端转动连接有旋转盘,所述旋转盘顶端固定连接有支撑轴,所述支撑杆顶端转动连接有抛光架,所述抛光架顶端和底座顶端共同设置有升降抛光机构。本发明通过设置清洗机构和过滤孔,利用倾斜的抛光架,当抛光座运动到最左端时,进行抛光,当抛光座偏离左端后,抛光液通过过滤孔流入到抛光座内,当运动到最右端时,在清洗机构的作用下,可以喷射水对芯片表面进行清洗,从而将芯片表面固体颗粒进行清理,并且通过第一密封板和支撑机构,及时密封过滤孔和排走芯片表面的水,避免抛光液被稀释,降低抛光效果。
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公开(公告)号:CN113979426A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202111387035.1
申请日:2021-11-22
Applicant: 南京金瑞立丰硬质材料科技有限公司
IPC: C01B32/15 , H01M8/1046
Abstract: 本发明公开了一种磷酸接枝纳米洋葱碳及其制备方法和应用,以纳米金刚石高温退火得到的纳米洋葱碳为原料,采用硫酸与硝酸混合酸氧化反应生成羧酸化纳米洋葱碳;与植酸混合高温水热反应,得到磷酸接枝纳米洋葱碳。本发明制备工艺简单,得到的产物为由多个石墨层形成的准球形颗粒,平均尺寸为5nm,可用于离子交换材料,特别适用于质子交换膜中的纳米填料。
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公开(公告)号:CN109305676B
公开(公告)日:2021-08-03
申请号:CN201811416838.3
申请日:2018-11-26
Applicant: 南京金瑞立丰硬质材料科技有限公司 , 江苏金海丰硬质材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石灰料中石墨态碳的去除方法,包括将纳米金刚石爆轰灰加入至低熔点碱性介质中,升温至400~500oC,加入亚硝酸盐,在400~600℃条件下,反应0.5~5小时,反应液冷却后,加水溶解分离出金刚石粉末,过滤、水洗、干燥,得纯化纳米金刚石产品的步骤。本发明对于灰料中金属氧化物及盐类、二氧化硅含量较小的情况下,可以不经进一步处理,直接提供高纯度产品,该方法具有生产工艺简单、设备要求较低、产品纯度高、生产工艺安全环保等优点。
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公开(公告)号:CN114043375B
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202111440718.9
申请日:2021-11-30
Applicant: 南京金瑞立丰硬质材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了蓝宝石芯片抛光领域的,一种蓝宝石芯片研磨、抛光供液装置,包括底座,所述底座顶端转动连接有旋转盘,所述旋转盘顶端固定连接有支撑轴,所述支撑轴顶端转动连接有抛光架,所述抛光架顶端和底座顶端共同设置有升降抛光机构。本发明通过设置清洗机构和过滤孔,利用倾斜的抛光架,当抛光座运动到最左端时,进行抛光,当抛光座偏离左端后,抛光液通过过滤孔流入到抛光座内,当运动到最右端时,在清洗机构的作用下,可以喷射水对芯片表面进行清洗,从而将芯片表面固体颗粒进行清理,并且通过第一密封板和支撑机构,及时密封过滤孔和排走芯片表面的水,避免抛光液被稀释,降低抛光效果。
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