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公开(公告)号：CN118516761A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410395660.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院 , 江苏晶菲尔德半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于薄膜材料制备的领域，本发明公开了一种基于多点成核的快速、无污染制备外延硅片的方法，根据新发现的多点成核、单一取向结晶的原理，采用磁控溅射设备在各取向的硅衬底上生成致密、单一取向的单晶硅薄膜。本发明的优点在于：工艺简单、成本低、效率高、安全无污染、薄膜均匀致密。通过本发明制备的薄膜具有缺陷少、界面性能优、耐高温、耐腐蚀、平整度高的特点，可广泛用于集成电路、光伏、生物医疗，航天航空，传感电路等领域。
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公开(公告)号：CN118153494B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410578790.5
申请日：2024-05-11
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
IPC: G06F30/331 , G06F30/337 , G06F30/398 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于AXI总线实现矩阵SVD分解的硬件加速系统，该系统包括硬件数学加速器、DMA、RAM、寄存器、FIFO及AXI总线模块，并涵盖了软硬件协同工作的驱动程序；所述原理是通过外部驱动写入指令，利用该系统来执行SVD计算的子功能，在寄存器及RAM中进行数据的读写操作，并通过AXI总线与外部系统实现内外数据交换；所述的硬件数学加速器内具有4个三角函数模块，在SVD进行迭代计算时可调动这4个模块进行并行计算，从而缩短计算的时钟周期；本发明采用了64个64比特的寄存器和4个32KB的RAM，可满足大规模高阶矩阵的存储需求，同时支持单、双精度的计算；通过写指令来配置内部硬件加速系统的功能，提高了系统的灵活性和可配置性，可满足不同的应用需求。
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公开(公告)号：CN118153494A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410578790.5
申请日：2024-05-11
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
IPC: G06F30/331 , G06F30/337 , G06F30/398 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于AXI总线实现矩阵SVD分解的硬件加速系统，该系统包括硬件数学加速器、DMA、RAM、寄存器、FIFO及AXI总线模块，并涵盖了软硬件协同工作的驱动程序；所述原理是通过外部驱动写入指令，利用该系统来执行SVD计算的子功能，在寄存器及RAM中进行数据的读写操作，并通过AXI总线与外部系统实现内外数据交换；所述的硬件数学加速器内具有4个三角函数模块，在SVD进行迭代计算时可调动这4个模块进行并行计算，从而缩短计算的时钟周期；本发明采用了64个64比特的寄存器和4个32KB的RAM，可满足大规模高阶矩阵的存储需求，同时支持单、双精度的计算；通过写指令来配置内部硬件加速系统的功能，提高了系统的灵活性和可配置性，可满足不同的应用需求。
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