公开(公告)号：CN110570896A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910701404.6

申请日：2019-07-31

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 蔡志匡 ,  吕凯 ,  刘世欢 ,  王子轩 ,  王昌强 ,  郭宇锋 ,  杨军

IPC: G11C29/50 ,  G11C11/413

Abstract: 本发明提供一种面向弱故障的低电压SRAM测试方法，基于弱故障敏化机制，整合存储单元弱故障、译码器字线弱故障和写驱动位线弱故障对应的测试元素，同时引入棋盘数据背景并配合连续读操作，设计出一种算法复杂度仅为12N的新型测试算法，通过电路实现和验证表明该测试方法对这三种弱故障的故障覆盖率较现有测试方法有所提高。

公开(公告)号：CN108257645A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810154805.X

申请日：2018-02-23

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 荣佑丽 ,  郭艳艳 ,  王昌强 ,  王荧 ,  蔡志匡

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明公开了一种用于低电压SRAM的稳定性故障测试方法，在低电压SRAM上增加测试电路，形成测试模式下低电压SRAM的位线BLB所需的浮动0和浮动1，能够准确测量低电压SRAM单元中的稳定性故障，同时，通过在低电压SRAM内注入稳定性故障，通过外加测试电路的方式来攻击该低电压SRAM，可以避免对内部低电压SRAM造成干扰，并可以减小交叉耦合的晶体管与电源或地之间稳定性故障的最小可检测电阻，以达到提高检测灵敏性的目的，测试方法，精确度高，设计巧妙，具有良好的前景。

公开(公告)号：CN110570896B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201910701404.6

申请日：2019-07-31

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 蔡志匡 ,  吕凯 ,  刘世欢 ,  王子轩 ,  王昌强 ,  郭宇锋 ,  杨军

IPC: G11C29/50 ,  G11C11/413

Abstract: 本发明提供一种面向弱故障的低电压SRAM测试方法，基于弱故障敏化机制，整合存储单元弱故障、译码器字线弱故障和写驱动位线弱故障对应的测试元素，同时引入棋盘数据背景并配合连续读操作，设计出一种算法复杂度仅为12N的新型测试算法，通过电路实现和验证表明该测试方法对这三种弱故障的故障覆盖率较现有测试方法有所提高。

公开(公告)号：CN108257645B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201810154805.X

申请日：2018-02-23

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 荣佑丽 ,  郭艳艳 ,  王昌强 ,  王荧 ,  蔡志匡

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明公开了一种用于低电压SRAM的稳定性故障测试方法，在低电压SRAM上增加测试电路，形成测试模式下低电压SRAM的位线BLB所需的浮动0和浮动1，能够准确测量低电压SRAM单元中的稳定性故障，同时，通过在低电压SRAM内注入稳定性故障，通过外加测试电路的方式来攻击该低电压SRAM，可以避免对内部低电压SRAM造成干扰，并可以减小交叉耦合的晶体管与电源或地之间稳定性故障的最小可检测电阻，以达到提高检测灵敏性的目的，测试方法，精确度高，设计巧妙，具有良好的前景。