公开(公告)号：CN116234425A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310257896.0

申请日：2023-03-16

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李雯 ,  陶奎 ,  赵赳 ,  沈筠皓 ,  刘恺洋 ,  仪明东

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、上层活性层、下层活性层、底电极和基底，上层活性层由有机聚合物材料聚(3‑己基噻吩‑2,5‑二基)组成，下层活性层由非金属单质碳60组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，然后在真空蒸镀系统中蒸镀下层活性层碳60，在下层活性层上旋涂聚(3‑己基噻吩‑2,5‑二基)上层活性层，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的异质结结构忆阻器在回扫电压和脉冲电压刺激下，具有多阻态特性，同时在特定脉冲电压下能够保持线性电导增长趋势。

公开(公告)号：CN114512605A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210038559.8

申请日：2022-01-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李雯 ,  曹博文 ,  仪明东 ,  陶奎 ,  吴春辉 ,  杨永豪

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种基于可溶性半导体与聚合物共混膜的叠层异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、p型有机半导体层、n型有机半导体层、共混层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述共混层为聚合物与p型材料并存且相分离的纳米共混薄膜，所述聚合物为聚苯乙烯，所述p型材料为tips‑并五苯。本发明的异质结底层共混膜结构采用溶液旋涂法制备，具有电子和空穴双重俘获能力，具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，并具有良好的维持能力。有利于推进有机场效应晶体管非易失存储器研究进程。