公开(公告)号：CN116471850A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310357670.8

申请日：2023-04-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李雯 ,  柯蕴芯 ,  沈筠皓 ,  王宇 ,  刘恺洋 ,  仪明东

IPC: H10K30/30 ,  H10K71/12 ,  H10K85/10 ,  H10K85/60 ,  H10K71/60

Abstract: 本发明公开了一种基于体异质结的光突触器件及其制备方法与应用，属于信息技术与人工智能技术领域，包括由下至上依次连接的基底、底电极、功能层和顶电极，所述功能层为体异质结，所述体异质结包括聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯乙炔]和[6,6]‑苯基C61丁酸甲酯，所述体异质结采用混合溶液旋涂法制备而成，所述体异质结的厚度为70‑90nm；本发明能够实现光突触器件利用光信号进行光学习记忆行为模拟，这将进一步拓展在光作用下的神经形态网络、生物仿真和人工智能领域的应用。

公开(公告)号：CN116234425A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310257896.0

申请日：2023-03-16

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李雯 ,  陶奎 ,  赵赳 ,  沈筠皓 ,  刘恺洋 ,  仪明东

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、上层活性层、下层活性层、底电极和基底，上层活性层由有机聚合物材料聚(3‑己基噻吩‑2,5‑二基)组成，下层活性层由非金属单质碳60组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，然后在真空蒸镀系统中蒸镀下层活性层碳60，在下层活性层上旋涂聚(3‑己基噻吩‑2,5‑二基)上层活性层，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的异质结结构忆阻器在回扫电压和脉冲电压刺激下，具有多阻态特性，同时在特定脉冲电压下能够保持线性电导增长趋势。