公开(公告)号：CN110473869B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201910813865.2

申请日：2019-08-30

Applicant: 瑞森半导体科技(广东)有限公司 ,  南京邮电大学

Inventor： 刘志强 ,  龙立 ,  唐红飞 ,  成建兵 ,  邓志豪

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及电子元器件技术领域的一种具有氧化层的LIGBT型ESD保护器件，包括位于底部的衬底层及埋氧层，埋氧层的上方覆盖有漂移区，漂移区的上方分别覆盖有buffer层和body区，漂移区的上方且位于buffer层的右侧设有氧化层，buffer层内具有第三重掺杂区，漂移区的上方且位于body区的左侧设有场氧隔离区，场氧隔离区和body区的上端均覆盖有多晶硅栅极，body区上方形成第一重掺杂区和第二重掺杂区，多晶硅栅极、第一重掺杂区和第二重掺杂区用导线相连接地，通过加入阳极端氧化层技术，同时通过降低阳极端的第三重掺杂区向漂移区的注入效率，并增加ESD电流流通路径长度，进而提高维持电压，可降低闩锁效应的发生风险。

公开(公告)号：CN110473869A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910813865.2

申请日：2019-08-30

Applicant: 广东瑞森半导体科技有限公司 ,  南京邮电大学

Inventor： 刘志强 ,  龙立 ,  唐红飞 ,  成建兵 ,  邓志豪

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及电子元器件技术领域的一种具有氧化层的LIGBT型ESD保护器件，包括位于底部的衬底层和及埋氧层，埋氧层的上方覆盖有漂移区，漂移区的上方分别覆盖有buffer层和body区，漂移区的上方且位于buffer层的右侧设有氧化层，buffer层内具有第三重掺杂区，漂移区的上方且位于body区的左侧设有场氧隔离区，场氧隔离区和body区的上端均覆盖有多晶硅栅极，body区上方形成第一重掺杂区和第二重掺杂区，多晶硅栅极、第一重掺杂区和第二重掺杂区用导线相连接地，通过加入阳极端氧化层技术，同时通过降低阳极端的第三重掺杂区向漂移区的注入效率，并增加ESD电流流通路径长度，进而提高维持电压，可降低闩锁效应的发生风险。

公开(公告)号：CN109861547A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910193443.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 沈醴 ,  成建兵 ,  邓志豪 ,  张才荣

IPC: H02M3/335

Abstract: 本发明公开了一种四路输出的反激式开关电源，包括输入整流电路，启动电路，变压拓扑，开关管，PWM控制电路，输出整流电路，采样反馈电路；所述输入整流电路与启动电路和变压拓扑相连，所述开关管与变压拓扑相连，所述变压拓扑与PWM控制电路和输出整流电路相连，所述输出整流电路与采样反馈电路，所述采样反馈电路与PWM控制电路相连。所述本发明通过在变压拓扑每个次级线圈都连接一路输出电路，为不同设备提供不同的供电电压。同时，采用部分输出回路加权反馈与后级调节相结合的方式，增加输出电压的精度。还改进输出整流部分电路，以确保能够支撑大负载的正常工作。同时还具备在宽电压输入条件下工作的能力，适应能力强。