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公开(公告)号：CN107425117A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710565327.7
申请日：2017-07-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种可控抑制型人工突触电子器件及其制备方法与应用，属于人工智能技术领域。所述人工突触电子器件包括自下而上依次设置的衬底、第一电极、阻变层和第二电极，所述阻变层为氧化石墨烯活性层。所述电子器件结构为二极管交叉或垂直结构，且上下电极为同一电极，具有高度对称性，而现有的类似器件大多为晶体管，测试与操作工艺较为复杂。本发明的人工突触属于可控抑制型，这些多重抑制功能对于过滤神经信号以及调节整个神经活动具有重要作用，表现出器件产率高、输出可重复性、性能稳定以及抗饱和能力强等优势，可作为一种新型的信息传输与校准器。因此，氧化石墨烯人工突触有望成为人工神经网络和神经形态计算的有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN106981568A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710203043.3
申请日：2017-03-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/14 , H01L45/1625
Abstract: 申请公开了一种具有生物突触模拟功能的有机二极管柔性忆阻器器件及其制备方法，该器件在阴极‑介质层界面间增加一层修饰层，整个器件从上到下依次是：金属阴极层、修饰层、介质层、阳极电极层和PET衬底，所述修饰层材料为氧化铝Al2O3，性能稳定，基本突触模拟功能都可以实现，并且在弯曲一定次数和弯曲不同半径下均能保持着优越的忆阻性能和生物模拟功能，同时，相比同类型器件结构易于设计，发明产率高，具有普适性，有着重要的研究意义。
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公开(公告)号：CN106601909A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611186337.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括氧化物缓冲层，以提供离子源。本发明还提出一种制备上述卟啉忆阻器的方法，包括以下步骤：首先制备所述阳极，然后在阳极上制备阻变层，随后在阻变层上制备阴极，氧化物缓冲层通过低真空度原位方法形成，以提高所述阻变层的质量，保证含氧量低于整数比。本发明具有适合柔性器件、可以实现大面积、低成本制作等优点。本发明的卟啉忆阻器是由真空蒸镀制备得到，具有易于设计，工艺简单，器件产率高、输出可重复性、性能稳定以及抗饱和能力强等优势。
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公开(公告)号：CN109146068A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811011443.5
申请日：2018-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06N3/06
CPC classification number: G06N3/06
Abstract: 本发明公开了一种液体忆阻器及其制备方法和应用，该液体忆阻器由金属电极置入溶液中构成的器件，所述溶液是将卤化铅溶解在有机溶剂中形成的离子溶液，所述卤化铅在器件结构中提供离子源，铅离子随着有机溶剂的缓冲作用从而自由平稳地移动。本发明基于卤化铅的液体忆阻器可以灵活地调节离子溶液浓度，离子种类和电极位置，可以利用不同形式的电信号来模拟特定的突触功能，还可以调整液体装置的内部结构因素用于更高级的神经模拟功能。以柔性调节为特征的所述液体忆阻器为实现多功能突触可塑性开辟了一条新途径，将进一步拓展神经网络和人工智能领域的应用。
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公开(公告)号：CN104979473A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510347180.5
申请日：2015-06-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种同时具备存储和整流的有机二极管电存储器件和方法，该器件在阳极-介质层界面间增加一层缓冲层，整个器件从上到下依次是：金属阴极、介质层、阳极缓冲层、ITO阳极衬底，这一结构的阳极缓冲层既具有较好的绝缘性，同时也可以修饰ITO。通过测量器件电学性质以及相关实验数据，可以判定本器件是一个同时具备存储和整流的稳定有机二极管电存储器件。本发明的优点是，该有机二极管存储器件同时具有存储回滞和可观的整流效应，具有大的开关比整流比，并且施加持续外在电压后也维持较好性能，同时，相比同类型器件结构易于设计，本发明产率高，具有普适性，有着重要的研究意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106981568B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710203043.3
申请日：2017-03-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 申请公开了一种具有生物突触模拟功能的有机二极管柔性忆阻器器件及其制备方法，该器件在阴极‑介质层界面间增加一层修饰层，整个器件从上到下依次是：金属阴极层、修饰层、介质层、阳极电极层和PET衬底，所述修饰层材料为氧化铝Al2O3，性能稳定，基本突触模拟功能都可以实现，并且在弯曲一定次数和弯曲不同半径下均能保持着优越的忆阻性能和生物模拟功能，同时，相比同类型器件结构易于设计，发明产率高，具有普适性，有着重要的研究意义。
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公开(公告)号：CN109146068B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811011443.5
申请日：2018-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06N3/06
Abstract: 本发明公开了一种液体忆阻器及其制备方法和应用，该液体忆阻器由金属电极置入溶液中构成的器件，所述溶液是将卤化铅溶解在有机溶剂中形成的离子溶液，所述卤化铅在器件结构中提供离子源，铅离子随着有机溶剂的缓冲作用从而自由平稳地移动。本发明基于卤化铅的液体忆阻器可以灵活地调节离子溶液浓度，离子种类和电极位置，可以利用不同形式的电信号来模拟特定的突触功能，还可以调整液体装置的内部结构因素用于更高级的神经模拟功能。以柔性调节为特征的所述液体忆阻器为实现多功能突触可塑性开辟了一条新途径，将进一步拓展神经网络和人工智能领域的应用。
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公开(公告)号：CN106601909B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201611186337.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括氧化物缓冲层，以提供离子源。本发明还提出一种制备上述卟啉忆阻器的方法，包括以下步骤：首先制备所述阳极，然后在阳极上制备阻变层，随后在阻变层上制备阴极，氧化物缓冲层通过低真空度原位方法形成，以提高所述阻变层的质量，保证含氧量低于整数比。本发明具有具有适合柔性器件、可以实现大面积、低成本制作等优点。本发明的卟啉忆阻器是由真空蒸镀制备得到，具有易于设计，工艺简单，器件产率高、输出可重复性、性能稳定以及抗饱和能力强等优势。
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公开(公告)号：CN109346598A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811011442.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有生物突触模拟功能的卟啉忆阻器及其制备方法和应用，该具有生物突触模拟功能的卟啉忆阻器的器件的结构从上到下依次是：金属阴极、阻变层、ITO导电玻璃，所述阻变层修饰层和介质层，所述介质层为卟啉层。一种具有生物突触模拟功能的卟啉忆阻器，该有机忆阻器属于典型的离子传输机制，具有模拟生物突触功能的特点，并且具有大面积、低成本、可柔性化制作等优点，整个忆阻器的结构易于设计，工艺简单，性能稳定，并且其阻值变化对应于人类人脑的神经突触具有高度相似性，因此，基于忆阻器的神经突触仿生器件研究必将为人工智能领域带来新的思路，从而促进更加精确地实现对人工智能器件的发展。
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公开(公告)号：CN106711328A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611245814.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种钛菁铜忆阻器及其制备方法，属于有机电子和信息技术领域。该钛菁铜忆阻器包含第一电极、第二电极和介于两电极之间的阻变层，其中阻变层以钛菁铜作为活性层，还可以包括MoO3的缓冲层。本发明的忆阻器属于电荷捕获/释放型机制，对比电化学还原金属丝型机制忆阻器，具有明显的器件产率高、输出可重复性好、性能稳定以及抗饱和能力强等特点，还表现出有机忆阻器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。制备该钛菁铜忆阻器的方法工艺简单，成本低，可重复性好，可应用于交叉阵列的人工神经计算系统中，作为节点链接处理器制造具有学习功能的人工智能系统。
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