公开(公告)号：CN119730493A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411933987.2

申请日：2024-12-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张国刚 ,  梁思诚 ,  王永进

IPC: H10H20/816 ,  H10H20/812 ,  H10H20/811 ,  H10H20/01 ,  H10H20/00 ,  H10H20/81 ,  H10H20/832 ,  H10H20/841

Abstract: 本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种垂直结构红光Micro‑LED及其制备方法；所述红光Micro‑LED包括自下而上依次设置的p型电极、Si衬底、键合金属层、Ni/Ag反射层、p型GaN层、p‑AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、InGaN/GaN超晶格层、n型GaN层和n型电极；其中，所述p型GaN层、p‑AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、InGaN/GaN超晶格和n型GaN层构成红光Micro‑LED的p‑n结。本发明实现了高亮度垂直结构红光Micro‑LED，在高分辨率显示和裸眼3D显示等众多领域具有广泛的应用前景。