公开(公告)号：CN116288693A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310211232.0

申请日：2023-03-07

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 张茂林 ,  姚苏昊 ,  姚佳飞 ,  刘增 ,  郭宇锋 ,  唐为华

IPC: C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B25/10 ,  C30B29/16 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明属于化学气相沉积的材料生长方法技术领域，具体地说，是一种雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，包括气流导管、气流喷管、气流输运管道、气流恒温装置和温度监测装置，气流喷管和温度监测装置通过法兰部分嵌套于气流输运管道内部，气流恒温装置位于气流输运管道内部。气流恒温装置提高了薄膜生长区的热导率，实现薄膜生长区的温场均匀化，气流喷管提前对低温气流进行加热，降低气流对薄膜生长区的温场影响，从而获得更均匀的薄膜生长温度，温度监测可以准确的获得薄膜生长区的温度，从而实现最优的生长环境。本发明为实现高均匀度和高纯度的氧化镓外延薄膜制备提供一种有效的生长系统。

公开(公告)号：CN112436088A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202110107576.8

申请日：2021-01-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 姚苏昊 ,  张缪城 ,  秦琦 ,  韩翱泽 ,  童祎 ,  孟宇泰 ,  连晓娟

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种基于忆阻器的微型可持续芯片散热结构及制备方法，所述散热结构包括从上至下依次贴合设置的底电极、翻转基板、势垒层和衬底层，所述衬底层设有导线散热通道，还包括与导线散热通道垂直设置的冷却液管道；本发明还提供了相应的散热结构制备方法；本发明提供的散热结构的导热性和稳定性较好，附着于其上的忆阻器阻态更稳定，可用于忆阻器网络的散热，具有广阔的应用前景；此外，本发明的提供的忆阻器件的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。

公开(公告)号：CN111129299A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN202010019961.2

申请日：2020-01-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 秦琦 ,  姚苏昊 ,  张缪城 ,  罗健成 ,  施明旻 ,  童祎 ,  连晓娟

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种基于二维材料的铁电忆阻器件及其制备方法，该铁电忆阻器件设置在衬底上，该铁电忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，所述阻变层包括介质层和敷设在该铁电材料介质层上方的MXene材料膜，所述顶电极通过掩膜板的开孔溅射在所述MXene材料膜的顶部，所述底电极包括顶部和底部，顶电极的顶部与所述介质层相触接，顶电极的底部与所述衬底相触接。该铁电忆阻器件的导电性和稳定性佳，阻态更稳定，可用于多值存储，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低，适合在产业上推广使用。