公开(公告)号：CN109888114A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910047608.2

申请日：2019-01-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈淑芬 ,  于洪涛 ,  卢瑶 ,  吴亚南 ,  黄维

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明揭示了一种钙钛量子点矿膜层的制备方法及其应用，该方法包括如下步骤：S1：对透明导电玻璃氧化铟基片进行预处理；S2：将经S1步骤预处理后的透明导电玻璃氧化铟基片旋涂一层有机物材料，作为空穴注入层；S3：将经S2步骤得到的空穴注入层上旋涂一层有机物材料，作为空穴传输层；S4：将经S3步骤得到的空穴传输层上旋涂聚合物钙钛量子点得到有机聚合物量子点膜层，作为发光层；S5：将经S4步骤得到的发光层上蒸镀一层有机物材料，作为电子传输层；S6：将经S5步骤得到的电子传输层上蒸镀一层有机物材料，作为电子注入层；S7：将经S6步骤得到的电子注入层上蒸镀一层金属材料，作为电极；最后得到以聚合物钙钛矿量子点为发光层的发光二极管器件。