公开(公告)号：CN108511616A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810343741.8

申请日：2018-04-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈淑芬 ,  冯增勤 ,  于洪涛 ,  黄维

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿膜层及钙钛矿发光二极管器件的制备方法，包括如下步骤，1)将透明导电玻璃基片进行标准化清洗后烘干；2)将基片放于紫外臭氧灯下照射10min，再将空穴传输材料旋涂在透明导电玻璃上，形成空穴传输层；3)使用多次旋涂法旋涂钙钛矿前驱体溶液，在空穴传输层旋涂形成钙钛矿发光层；4)在钙钛矿发光层上真空蒸镀电子传输材料，形成电子传输层；5)在电子传输层上依次真空蒸镀电子注入材料和金属，形成电子注入层和阴极层，得到钙钛矿发光二极管器件；6)将发光器件在惰性气体氛围的手套箱中进行封装。本发明提供的多次旋涂法可抑制钙钛矿的结晶，使钙钛矿膜更加致密、均匀，覆盖率大，PL增强，有助于提高发光二极管器件性能。

公开(公告)号：CN108336244A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810109220.6

申请日：2018-02-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 涂真珍 ,  吕兰兰 ,  冯增勤

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5237 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管及其制备方法。从下到上依次包括ITO透明导电玻璃基片阳极基底、40 nm的PEDOT:PSS空穴传输层、50 nm的钙钛矿发光层、10 nm的IPFB界面修饰层、45 nm的TPBi电子传输层、1 nm的LiF电子注入层和100 nm的Al阴极层。本发明制备的基于界面修饰的钙钛矿发光二极管工艺简单、成本低廉，并且膜表面粗糙度低、结晶性好，适合应用于大面积制备高效的钙钛矿太阳能电池、发光二极管、光敏元件和激光器件。

公开(公告)号：CN108511616B

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201810343741.8

申请日：2018-04-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈淑芬 ,  冯增勤 ,  于洪涛 ,  黄维

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿膜层及钙钛矿发光二极管器件的制备方法，包括如下步骤，1)将透明导电玻璃基片进行标准化清洗后烘干；2)将基片放于紫外臭氧灯下照射10min，再将空穴传输材料旋涂在透明导电玻璃上，形成空穴传输层；3)使用多次旋涂法旋涂钙钛矿前驱体溶液，在空穴传输层旋涂形成钙钛矿发光层；4)在钙钛矿发光层上真空蒸镀电子传输材料，形成电子传输层；5)在电子传输层上依次真空蒸镀电子注入材料和金属，形成电子注入层和阴极层，得到钙钛矿发光二极管器件；6)将发光器件在惰性气体氛围的手套箱中进行封装。本发明提供的多次旋涂法可抑制钙钛矿的结晶，使钙钛矿膜更加致密、均匀，覆盖率大，PL增强，有助于提高发光二极管器件性能。