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公开(公告)号：CN104868212B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410064306.3
申请日：2014-02-25
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01P1/387
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器，包括3个威尔金森功分器和3个功率放大器，所述3个功率放大器均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上，三个威尔金森功分器均在PCB上加工，威尔金森功分器与功率放大器之间通过金丝键合线进行互连；所述威尔金森功分器的功率合成端口分别分发射端口、天线端口和接收端口，相邻威尔金森功分器之间分别放置一个功率放大器，威尔金森功分器的功分端口分别接入相邻功率放大器的射频端口，形成顺时针方向的通路且整个系统具有非互易工作性能。本发明具有集成度高、电路体积小、功率容量高的优点。
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公开(公告)号：CN104134841B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410380736.6
申请日：2014-08-04
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01P1/38
Abstract: 本发明提出一种基于前馈补偿技术的GaN有源准环行器。该器件在发射支路采用了GaN HEMT用来实现发射支路的高增益以及单向传输特性，而为了抑制由于发射支路高增益带来的从发射端口到接收端口之间的功率泄漏，采用了前馈补偿的技术。该前馈支路将输入发射信号的一部分进行调幅和移相，从而在接收端口实现与泄漏信号等幅反相的特性，进而相互抵消，实现较低的功率泄漏特性。此外，为了进一步提高发射支路的增益，并尽量减轻接收支路噪声性能的弱化，在发射端口及接收端口处均采用了不等分耦合器。最终该有源准环行器实现了较高的功率容量、较高的发射增益、以及较低的功率泄漏。具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102157771A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010582511.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 南京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P5/20
Abstract: 本发明涉及一种小型宽带半模基片集成波导HMSIW平面魔T结构。该小型宽带半模基片集成波导HMSIW平面魔T包括介质基板上、中、下三层金属面，介质基板含有一排金属柱，中间层金属面蚀刻出的槽线结构，能很好地实现从微带线到半模基片集成波导HMSIW的能量传输。采用的半模基片集成波导HMSIW等功分网络，代替了传统的分支结构，使整个平面魔T的结构比以往基片集成波导SIW平面魔T结构体积减小了3/4，并且使魔T的相对工作带宽有了很大的提高，而且该平面魔T的和差臂以及等功分端口之间具有良好的隔离特性。该小型宽带半模基片集成波导HMSIW平面魔T设计简单，体积小，电性能好，易于和其他平面微波毫米波电路集成。
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公开(公告)号：CN104868866B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410064240.8
申请日：2014-02-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN HEMT工艺的单片集成有源准环形器，包括顺次相连的发射支路功率放大器、集总式功分器和接收支路功率放大器，该三个电路均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上；所述发射支路功率放大器从发射端口开始包括顺次连接的第一输入匹配电路、第一稳定电路、第一氮化镓晶体管和第一输出匹配电路，所述第一输出匹配电路的输出端与集总式功分器的第一功分端口J1相连；所述集总式功分器的合成端口即为天线端口，接收支路功率放大器的结构与发射支路功率放大器相同，以集总式功分器的第二功分端口J1为输入端，接收支路功率放大器的输出端为该有源准环形器的接收端口。本发明有效地减小了电路面积，且具有较大的功率容量，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN104868866A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410064240.8
申请日：2014-02-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN HEMT工艺的单片集成有源准环形器，包括顺次相连的发射支路功率放大器、集总式功分器和接收支路功率放大器，该三个电路均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上；所述发射支路功率放大器从发射端口开始包括顺次连接的第一输入匹配电路、第一稳定电路、第一氮化镓晶体管和第一输出匹配电路，所述第一输出匹配电路的输出端与集总式功分器的第一功分端口J1相连；所述集总式功分器的合成端口即为天线端口，接收支路功率放大器的结构与发射支路功率放大器相同，以集总式功分器的第二功分端口J1为输入端，接收支路功率放大器的输出端为该有源准环形器的接收端口。本发明有效地减小了电路面积，且具有较大的功率容量，应用前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104134841A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410380736.6
申请日：2014-08-04
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01P1/38
Abstract: 本发明提出一种基于前馈补偿技术的GaN有源准环行器。该器件在发射支路采用了GaNHEMT用来实现发射支路的高增益以及单向传输特性，而为了抑制由于发射支路高增益带来的从发射端口到接收端口之间的功率泄漏，采用了前馈补偿的技术。该前馈支路将输入发射信号的一部分进行调幅和移相，从而在接收端口实现与泄漏信号等幅反相的特性，进而相互抵消，实现较低的功率泄漏特性。此外，为了进一步提高发射支路的增益，并尽量减轻接收支路噪声性能的弱化，在发射端口及接收端口处均采用了不等分耦合器。最终该有源准环行器实现了较高的功率容量、较高的发射增益、以及较低的功率泄漏。具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102005630A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010582499.3
申请日：2010-12-10
Applicant: 南京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P1/212
Abstract: 本发明涉及一种小型超宽带UWB微带带通滤波器结构，该小型超宽带UWB微带带通滤波器包括了介质基板，上层微带线耦合线，上层微带传输线，下层金属面，下层金属面上蚀刻的两个方形槽，两个金属接地通孔；通过调节上层耦合线的耦合强度，以及上层微带传输线的电长度，可以很方便的控制该小型超宽带UWB微带带通滤波器结构的带宽和二次谐波的抑制；下层金属面上蚀刻出的两个槽结构，可以用来提高上层微带耦合线之间的耦合强度。该小型超宽带UWB微带带通滤波器结构设计简单，体积小，加工方便，带宽可调，电性能较好，而且具有易于和其他平面微波毫米波电路集成的显著优点。
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公开(公告)号：CN104868212A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410064306.3
申请日：2014-02-25
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01P1/387
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器，包括3个威尔金森功分器和3个功率放大器，所述3个功率放大器均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上，三个威尔金森功分器均在PCB上加工，威尔金森功分器与功率放大器之间通过金丝键合线进行互连；所述威尔金森功分器的功率合成端口分别分发射端口、天线端口和接收端口，相邻威尔金森功分器之间分别放置一个功率放大器，威尔金森功分器的功分端口分别接入相邻功率放大器的射频端口，形成顺时针方向的通路且整个系统具有非互易工作性能。本发明具有集成度高、电路体积小、功率容量高的优点。
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公开(公告)号：CN103117426B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310031241.8
申请日：2013-01-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种新型的带宽调节范围宽且性能可控的射频可重构带通滤波器。该可重构滤波器包括上层微带结构，中间层介质基板，和下层接地金属；上层微带结构由一个输入端口、一个输入馈电网络、一个输入可调阻抗匹配电路、一个十字形可调多模谐振器、一个输出可调阻抗匹配电路、一个输出馈电网络和一个输出端口依次连接构成。其中，十字形可调多模谐振器由相互垂直的两条微带线和端接的四个变容二极管组成；输入、输出可调阻抗匹配电路均由一个串联变容二极管和一个并联变容二极管连接组成。该可重构滤波器具有中心频率和带宽调节范围宽、滤波性能可控等方面的优势，能重构为不同中心频率的宽带或者窄带带通滤波器，可用于可重构射频前端。
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公开(公告)号：CN103117426A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310031241.8
申请日：2013-01-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种新型的带宽调节范围宽且性能可控的射频可重构带通滤波器。该可重构滤波器包括上层微带结构，中间层介质基板，和下层接地金属；上层微带结构由一个输入端口、一个输入馈电网络、一个输入可调阻抗匹配电路、一个十字形可调多模谐振器、一个输出可调阻抗匹配电路、一个输出馈电网络和一个输出端口依次连接构成。其中，十字形可调多模谐振器由相互垂直的两条微带线和端接的四个变容二极管组成；输入、输出可调阻抗匹配电路均由一个串联变容二极管和一个并联变容二极管连接组成。该可重构滤波器具有中心频率和带宽调节范围宽、滤波性能可控等方面的优势，能重构为不同中心频率的宽带或者窄带带通滤波器，可用于可重构射频前端。
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