公开(公告)号：CN104134841A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410380736.6

申请日：2014-08-04

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 车文荃 ,  顾黎明 ,  蔡奇 ,  张觅 ,  冯文杰

IPC: H01P1/38

Abstract: 本发明提出一种基于前馈补偿技术的GaN有源准环行器。该器件在发射支路采用了GaNHEMT用来实现发射支路的高增益以及单向传输特性，而为了抑制由于发射支路高增益带来的从发射端口到接收端口之间的功率泄漏，采用了前馈补偿的技术。该前馈支路将输入发射信号的一部分进行调幅和移相，从而在接收端口实现与泄漏信号等幅反相的特性，进而相互抵消，实现较低的功率泄漏特性。此外，为了进一步提高发射支路的增益，并尽量减轻接收支路噪声性能的弱化，在发射端口及接收端口处均采用了不等分耦合器。最终该有源准环行器实现了较高的功率容量、较高的发射增益、以及较低的功率泄漏。具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN104134841B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201410380736.6

申请日：2014-08-04

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 车文荃 ,  顾黎明 ,  蔡奇 ,  张觅 ,  冯文杰

IPC: H01P1/38

Abstract: 本发明提出一种基于前馈补偿技术的GaN有源准环行器。该器件在发射支路采用了GaN HEMT用来实现发射支路的高增益以及单向传输特性，而为了抑制由于发射支路高增益带来的从发射端口到接收端口之间的功率泄漏，采用了前馈补偿的技术。该前馈支路将输入发射信号的一部分进行调幅和移相，从而在接收端口实现与泄漏信号等幅反相的特性，进而相互抵消，实现较低的功率泄漏特性。此外，为了进一步提高发射支路的增益，并尽量减轻接收支路噪声性能的弱化，在发射端口及接收端口处均采用了不等分耦合器。最终该有源准环行器实现了较高的功率容量、较高的发射增益、以及较低的功率泄漏。具有很好的应用前景。