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公开(公告)号：CN104868212B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410064306.3
申请日：2014-02-25
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01P1/387
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器，包括3个威尔金森功分器和3个功率放大器，所述3个功率放大器均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上，三个威尔金森功分器均在PCB上加工，威尔金森功分器与功率放大器之间通过金丝键合线进行互连；所述威尔金森功分器的功率合成端口分别分发射端口、天线端口和接收端口，相邻威尔金森功分器之间分别放置一个功率放大器，威尔金森功分器的功分端口分别接入相邻功率放大器的射频端口，形成顺时针方向的通路且整个系统具有非互易工作性能。本发明具有集成度高、电路体积小、功率容量高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104134841B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410380736.6
申请日：2014-08-04
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01P1/38
Abstract: 本发明提出一种基于前馈补偿技术的GaN有源准环行器。该器件在发射支路采用了GaN HEMT用来实现发射支路的高增益以及单向传输特性，而为了抑制由于发射支路高增益带来的从发射端口到接收端口之间的功率泄漏，采用了前馈补偿的技术。该前馈支路将输入发射信号的一部分进行调幅和移相，从而在接收端口实现与泄漏信号等幅反相的特性，进而相互抵消，实现较低的功率泄漏特性。此外，为了进一步提高发射支路的增益，并尽量减轻接收支路噪声性能的弱化，在发射端口及接收端口处均采用了不等分耦合器。最终该有源准环行器实现了较高的功率容量、较高的发射增益、以及较低的功率泄漏。具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104868212A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410064306.3
申请日：2014-02-25
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01P1/387
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器，包括3个威尔金森功分器和3个功率放大器，所述3个功率放大器均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上，三个威尔金森功分器均在PCB上加工，威尔金森功分器与功率放大器之间通过金丝键合线进行互连；所述威尔金森功分器的功率合成端口分别分发射端口、天线端口和接收端口，相邻威尔金森功分器之间分别放置一个功率放大器，威尔金森功分器的功分端口分别接入相邻功率放大器的射频端口，形成顺时针方向的通路且整个系统具有非互易工作性能。本发明具有集成度高、电路体积小、功率容量高的优点。
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公开(公告)号：CN104868866B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410064240.8
申请日：2014-02-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN HEMT工艺的单片集成有源准环形器，包括顺次相连的发射支路功率放大器、集总式功分器和接收支路功率放大器，该三个电路均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上；所述发射支路功率放大器从发射端口开始包括顺次连接的第一输入匹配电路、第一稳定电路、第一氮化镓晶体管和第一输出匹配电路，所述第一输出匹配电路的输出端与集总式功分器的第一功分端口J1相连；所述集总式功分器的合成端口即为天线端口，接收支路功率放大器的结构与发射支路功率放大器相同，以集总式功分器的第二功分端口J1为输入端，接收支路功率放大器的输出端为该有源准环形器的接收端口。本发明有效地减小了电路面积，且具有较大的功率容量，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN104868866A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410064240.8
申请日：2014-02-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN HEMT工艺的单片集成有源准环形器，包括顺次相连的发射支路功率放大器、集总式功分器和接收支路功率放大器，该三个电路均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上；所述发射支路功率放大器从发射端口开始包括顺次连接的第一输入匹配电路、第一稳定电路、第一氮化镓晶体管和第一输出匹配电路，所述第一输出匹配电路的输出端与集总式功分器的第一功分端口J1相连；所述集总式功分器的合成端口即为天线端口，接收支路功率放大器的结构与发射支路功率放大器相同，以集总式功分器的第二功分端口J1为输入端，接收支路功率放大器的输出端为该有源准环形器的接收端口。本发明有效地减小了电路面积，且具有较大的功率容量，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN104134841A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410380736.6
申请日：2014-08-04
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01P1/38
Abstract: 本发明提出一种基于前馈补偿技术的GaN有源准环行器。该器件在发射支路采用了GaNHEMT用来实现发射支路的高增益以及单向传输特性，而为了抑制由于发射支路高增益带来的从发射端口到接收端口之间的功率泄漏，采用了前馈补偿的技术。该前馈支路将输入发射信号的一部分进行调幅和移相，从而在接收端口实现与泄漏信号等幅反相的特性，进而相互抵消，实现较低的功率泄漏特性。此外，为了进一步提高发射支路的增益，并尽量减轻接收支路噪声性能的弱化，在发射端口及接收端口处均采用了不等分耦合器。最终该有源准环行器实现了较高的功率容量、较高的发射增益、以及较低的功率泄漏。具有很好的应用前景。
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