一种多态发光的phasmid型液晶基元及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116178212B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202211569518.8

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种多态发光的phasmid型液晶基元及其制备方法和应用,属于发光液晶材料技术领域。本发明合成出的多态发光的phasmid型液晶基元分子,具有“二苯基氰基乙烯‑二苯乙炔基苯‑二苯基氰基乙烯”的刚性结构和两端的树枝单元。因而,本发明分子具有典型的D‑A‑DD‑A‑D的结构特征,在溶液中有较强的分子内电荷转移效应。该分子在良溶剂中溶解后,溶液中的荧光量子产率为89.4%,而在本体态可形成六方柱状液晶相,液晶态的荧光量子产率为45.2%。本发明实现了同一分子的多态高效发光,为多态发光分子的设计与合成提供了新的思路,填补了ACQ分子与AIE分子之间的空白。

    一种多态发光的phasmid型液晶基元及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116178212A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202211569518.8

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种多态发光的phasmid型液晶基元及其制备方法和应用,属于发光液晶材料技术领域。本发明合成出的多态发光的phasmid型液晶基元分子,具有“二苯基氰基乙烯‑二苯乙炔基苯‑二苯基氰基乙烯”的刚性结构和两端的树枝单元。因而,本发明分子具有典型的D‑A‑DD‑A‑D的结构特征,在溶液中有较强的分子内电荷转移效应。该分子在良溶剂中溶解后,溶液中的荧光量子产率为89.4%,而在本体态可形成六方柱状液晶相,液晶态的荧光量子产率为45.2%。本发明实现了同一分子的多态高效发光,为多态发光分子的设计与合成提供了新的思路,填补了ACQ分子与AIE分子之间的空白。

    一种三相发光的phasmid液晶基元及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114805129A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210244164.3

    申请日:2022-03-10

    Abstract: 本发明公开了一种三相发光的phasmid液晶基元及其制备方法和应用。本发明的phasmid液晶基元,两端为树枝单元,中间为长棒状的核;长棒状的核由二苯基丁二炔单元和二苯基氰基乙烯单元构成;前者为典型的聚集诱导荧光淬灭单元,后者为典型的聚集诱导发光单元;氰基为强吸电子基团,因而长棒状的核实为D‑A‑π‑A‑D结构。本发明的phasmid分子在普通溶剂中可以溶解;在选择性溶剂中形成柱状胶束,胶束稳定性好;在固态形成六方柱状液晶相。在单分子态,D‑A效应强。本发明的phasmid分子在凝胶态和液晶态都呈现高的发光效率,分别为58.5%和85.5%。

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