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发明公开
一种三相发光的phasmid液晶基元及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN114805129A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210244164.3

申请日：2022-03-10

Applicant: 南京林业大学

Inventor： 郑军峰 , 宫佳鑫 , 程晓帆 , 葛云翀

IPC: C07C255/38 , C07C253/30 , C09K11/06 , C09K19/20

Abstract: 本发明公开了一种三相发光的phasmid液晶基元及其制备方法和应用。本发明的phasmid液晶基元，两端为树枝单元，中间为长棒状的核；长棒状的核由二苯基丁二炔单元和二苯基氰基乙烯单元构成；前者为典型的聚集诱导荧光淬灭单元，后者为典型的聚集诱导发光单元；氰基为强吸电子基团，因而长棒状的核实为D‑A‑π‑A‑D结构。本发明的phasmid分子在普通溶剂中可以溶解；在选择性溶剂中形成柱状胶束，胶束稳定性好；在固态形成六方柱状液晶相。在单分子态，D‑A效应强。本发明的phasmid分子在凝胶态和液晶态都呈现高的发光效率，分别为58.5％和85.5％。

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