发蓝光的高纯纳米γ-Al2O3粉末的制备方法

    公开(公告)号:CN1298915A

    公开(公告)日:2001-06-13

    申请号:CN00134392.0

    申请日:2000-12-12

    Abstract: 本发明是一种用水蒸气经雾化器水解醇铝、制备发出波长范围为420—451纳米蓝光的纳米γ-Al2O3荧光粉的制备方法。其特征是水蒸气和溶解在非极性溶剂或回收的非极性溶剂中的醇铝,经过雾化器雾化水解制备出超细氢氧化铝粉末,加入水蒸气的压力为1.2—6.0大气压。制得分散的高纯发蓝光的纳米γ-Al2O3粉末其平均粒径分别为20—50nm,纯度可达到99.99%。

    硫化镉半导体纳米晶的湿固相反应制备法

    公开(公告)号:CN1280457C

    公开(公告)日:2006-10-18

    申请号:CN200410041158.X

    申请日:2004-07-05

    Abstract: 硫化镉半导体纳米晶的湿固相反应制备法,包括以下步骤:将巯基乙酸和氯化镉按摩尔比1.8~2.2∶1混合,研磨;加入去离子水洗去过量的巯基乙酸,过滤,滤饼用去离子水洗涤;将滤饼和硫化钠按摩尔比1~3.5∶2混合,研磨,得到淡黄色固体;将上一步骤得到的淡黄色固体溶于水,再加入丙酮或乙醚中,使CdS溶胶沉降;过滤,洗涤,干燥,得到纳米CdS晶体。本发明反应条件温和,工艺简单,产率高,制备的粒子粒径均匀,无团聚现象,重现性好。与传统的生物荧光探针(有机染料)相比,纳米晶体的激发光谱宽,且连续分布,发射光谱呈对称分布且宽度窄,颜色可调,将其用于生物荧光探针,具有良好的发展及应用前景。

    发蓝光的高纯纳米γ-Al2O3粉末的制备方法

    公开(公告)号:CN1122697C

    公开(公告)日:2003-10-01

    申请号:CN00134392.0

    申请日:2000-12-12

    Abstract: 本发明是一种用水蒸汽经雾化器水解醇铝、制备发出波长范围为420-451纳米蓝光的纳米γ-Al2O3荧光粉的制备方法。其特征是水蒸汽和溶解在非极性溶剂或回收的非极性溶剂中的醇铝,经过雾化器雾化水解制备出超细氢氧化铝粉末,加入水蒸汽的压力为1.2-6.0大气压。制得分散的高纯发蓝光的纳米γ-Al2O3粉末其平均粒径分别为20-50nm,纯度可达到99.99%。

    硫化镉半导体纳米晶的湿固相反应制备法

    公开(公告)号:CN1594674A

    公开(公告)日:2005-03-16

    申请号:CN200410041158.X

    申请日:2004-07-05

    Abstract: 硫化镉半导体纳米晶的湿固相反应制备法,包括以下步骤:将巯基乙酸和氯化镉按摩尔比1.8~2.2∶1混合,研磨;加入去离子水洗去过量的巯基乙酸,过滤,滤饼用去离子水洗涤;将滤饼和硫化钠按摩尔比1~3.5∶2混合,研磨,得到淡黄色固体;将上一步骤得到的淡黄色固体溶于水,再加入丙酮或乙醚中,使CdS溶胶沉降;过滤,洗涤,干燥,得到纳米CdS晶体。本发明反应条件温和,工艺简单,产率高,制备的粒子粒径均匀,无团聚现象,重现性好。与传统的生物荧光探针(有机染料)相比,纳米晶体的激发光谱宽,且连续分布,发射光谱呈对称分布且宽度窄,颜色可调,将其用于生物荧光探针,具有良好的发展及应用前景。

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