公开(公告)号：CN112176218B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011188904.3

申请日：2020-10-30

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 巨佳 ,  胡亮 ,  张保森 ,  闫晨 ,  于皓 ,  刘欢 ,  李旋 ,  李华冠 ,  吕学鹏 ,  解立帅 ,  刘玉建 ,  张俞

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/03 ,  B21B1/46 ,  B21C37/04 ,  C22F1/08 ,  C21D1/18 ,  C21D9/52

Abstract: 本发明公开了一种高强低损电缆导体材料，以质量百分比计，包括以下原料及配比：Ag：1.46～3.77％；W：2.9～4.3％；CuCe：2.8～4.7％；CuCr：5.7～9.6％；CuTi：2.9～4.3％；Cu：余量。本发明还公开了一种高强低损电缆导体材料的制备方法，包括如下步骤：合金熔炼、连铸连轧、压力加工和性能热处理。本发明还公开了一种高强低损电缆导体材料在电缆中的应用。本发明的高强低损电缆导体材料的晶界处形成连续分布的Cu51Ag14Ce7合金相，晶界周围弥散分布大量Cr2TiW合金相，使本发明具有高强度、高导电和低损耗等特性。

公开(公告)号：CN112176218A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202011188904.3

申请日：2020-10-30

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 巨佳 ,  胡亮 ,  张保森 ,  闫晨 ,  于皓 ,  刘欢 ,  李旋 ,  李华冠 ,  吕学鹏 ,  解立帅 ,  刘玉建 ,  张俞

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/03 ,  B21B1/46 ,  B21C37/04 ,  C22F1/08 ,  C21D1/18 ,  C21D9/52

Abstract: 本发明公开了一种高强低损电缆导体材料，以质量百分比计，包括以下原料及配比：Ag：1.46～3.77％；W：2.9～4.3％；CuCe：2.8～4.7％；CuCr：5.7～9.6％；CuTi：2.9～4.3％；Cu：余量。本发明还公开了一种高强低损电缆导体材料的制备方法，包括如下步骤：合金熔炼、连铸连轧、压力加工和性能热处理。本发明还公开了一种高强低损电缆导体材料在电缆中的应用。本发明的高强低损电缆导体材料的晶界处形成连续分布的Cu51Ag14Ce7合金相，晶界周围弥散分布大量Cr2TiW合金相，使本发明具有高强度、高导电和低损耗等特性。