白光高迁移率半导体材料2-芴蒽衍生物的化合物、制备方法与应用

    公开(公告)号:CN106431806B

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN201610828308.4

    申请日:2016-09-12

    Abstract: 本发明涉及白光高迁移率材料2‑芴蒽衍生物的化合物、制备方法及作为p‑型有机半导体材料和发光材料在有机光电器件的应用。2‑芴蒽衍生物的化合物结构如下所示:式中R1‑R9可以相同或者不相同,独立选自氢、氘或者C1‑C20的长烷基链,X为C、S或O,R10‑R11可以相同或者不相同,独立选自氢、氘、C1‑C20的长烷基链、双键氧,或者R10、R11与芴共同连接成9,9’‑螺二芴。该材料具有有较好的热稳定性和空气稳定性,且该材料可一锅法制造,适用于工业化生产;本材料发光性强,且在OLED中可发射近纯白光,同时具有优异的电荷传输性质,可应用于有机白光发光晶体管器件中,用于实现自驱动的OLED照明或显示。

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