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公开(公告)号：CN104167452B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410395986.7
申请日：2014-08-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18 , G01J11/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种带相位光栅的超导单光子探测器及其制备方法。该带相位光栅的超导单光子探测器在常规基于氮化铌的超导单光子探测器的纳米线区上设置有相位光栅。相位光栅的栅高为入射光波长π相位对应的厚度的奇数倍。在纳米线区上的相位光栅对光束产生干涉聚焦效果，氮化铌纳米线位于焦点位置，从而提高了氮化铌纳米线对光子的吸收效率。仿真结果表明，该带相位光栅的超导纳米线单光子探测器，在可见光和红外的多个频率段，均具有很高的探测效率，在850 nm波长，光子的吸收效率高达72%。
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公开(公告)号：CN104167452A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410395986.7
申请日：2014-08-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18 , G01J11/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02327 , H01L31/09 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了一种带相位光栅的超导单光子探测器及其制备方法。该带相位光栅的超导单光子探测器在常规基于基于氮化铌的超导单光子探测器的纳米线区上设置有相位光栅。相位光栅的栅高为入射光波长π相位对应的厚度的奇数倍。在纳米线区上的相位光栅对光束产生干涉聚焦效果，氮化铌纳米线位于焦点位置，从而提高了氮化铌纳米线对光子的吸收效率。仿真结果表明，该带相位光栅的超导纳米线单光子探测器，在可见光和红外的多个频率段，均具有很高的探测效率，在850nm波长，光子的吸收效率高达72%。
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公开(公告)号：CN103276365B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310191941.3
申请日：2013-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜缓冲层，明显提高了氮化铌薄膜的超导性能，特别在超薄薄膜性能上提高更加明显。本发明也可推广到其他基片上提高氮化铌薄膜的超导性能，简单易行，效果明显。
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公开(公告)号：CN103276365A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310191941.3
申请日：2013-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜缓冲层，明显提高了氮化铌薄膜的超导性能，特别在超薄薄膜性能上提高更加明显。本发明也可推广到其他基片上提高氮化铌薄膜的超导性能，简单易行，效果明显。
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