公开(公告)号：CN104630709A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510115066.X

申请日：2015-03-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 贾小氢 ,  杨小忠 ,  王翔 ,  康琳 ,  吴培亨

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/0682

Abstract: 本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）靶材选取，选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材，将靶材放入磁控共溅射室；（2）衬底处理，对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗，放入磁控共溅射室；（3）制备铌硅薄膜，磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5 Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备薄膜。本发明制备出了符合预期，较为稳定的NbSi超导薄膜，并优化获得了最佳制备条件，为制备高灵敏的超导单光子探测器（SNSPD）奠定了基础。

公开(公告)号：CN103276365B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201310191941.3

申请日：2013-05-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 贾小氢 ,  康琳 ,  涂学凑 ,  顾敏 ,  杨小忠 ,  吴培亨

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜缓冲层，明显提高了氮化铌薄膜的超导性能，特别在超薄薄膜性能上提高更加明显。本发明也可推广到其他基片上提高氮化铌薄膜的超导性能，简单易行，效果明显。

公开(公告)号：CN103276365A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310191941.3

申请日：2013-05-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 贾小氢 ,  康琳 ,  涂学凑 ,  顾敏 ,  杨小忠 ,  吴培亨

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜缓冲层，明显提高了氮化铌薄膜的超导性能，特别在超薄薄膜性能上提高更加明显。本发明也可推广到其他基片上提高氮化铌薄膜的超导性能，简单易行，效果明显。