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公开(公告)号：CN109698112B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201811569590.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了筒状阴极非平衡磁控等离子体气体聚集团簇源及其使用方法，所述团簇源包括筒状溅射靶组件和冷凝腔，二者之间相互连通。本发明运用筒状溅射靶及环形磁铁组使磁控溅射具有大的溅射面积，产生高产额的原子和离子；采用与溅射靶共轴的溅射气体充入筒形成惰性气体气流将溅射产物导向冷凝区，并在冷凝区被从缓冲气体充入筒侧壁流出的惰性气体进一步约束，使团簇的冷凝生长区被定义于一个确定的空间中，实现团簇的高效均匀生长；用冷凝区的约束磁铁形成非平衡磁场，约束电子形成高的等离子体密度，获得高的团簇离子比率。本发明可实现高强度与高离化度团簇与纳米粒子束流的产生。
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公开(公告)号：CN105429646B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201510388034.7
申请日：2015-06-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种咬尾阶梯码编码方法，包括如下步骤1）选择一种(n,k)线性分组码作为分量码，其中n代表码长，n∈（500,5000），k代表编码前信息长度；2）按照阶梯码中的方式对接受到的信息进行分组，构造矩阵，先在第一个矩阵的下方添加一个参与编码的全零矩阵，接着用分量码对剩余矩阵进行编码，编码的同时产生校验位矩阵，再将分组内最后一个矩阵与第一个矩阵编码完成首尾的衔接，最后用得到的校验位矩阵替代内补充的全零矩阵，完成编码。有益效果为：码通过采用这种新型的编码方案，新型的咬尾阶梯码有了分组码的特性，组与组之间的编码过程相互独立，且组内每一个矩阵内的信息依旧被包含在两个分量码之中，保证了纠错的性能。
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公开(公告)号：CN105429646A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510388034.7
申请日：2015-06-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种咬尾阶梯码编码方法，包括如下步骤1）选择一种(n,k)线性分组码作为分量码，其中n代表码长，n∈（500,5000），k代表编码前信息长度；2）按照阶梯码中的方式对接受到的信息进行分组，构造矩阵 ，先在第一个矩阵的下方添加一个参与编码的全零矩阵，接着用分量码对剩余矩阵进行编码，编码的同时产生校验位矩阵，再将分组内最后一个矩阵与第一个矩阵编码完成首尾的衔接，最后用得到的校验位矩阵替代内补充的全零矩阵，完成编码。有益效果为：码通过采用这种新型的编码方案，新型的咬尾阶梯码有了分组码的特性，组与组之间的编码过程相互独立，且组内每一个矩阵内的信息依旧被包含在两个分量码之中，保证了纠错的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109698112A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811569590.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了筒状阴极非平衡磁控等离子体气体聚集团簇源及其使用方法，所述团簇源包括筒状溅射靶组件和冷凝腔，二者之间相互连通。本发明运用筒状溅射靶及环形磁铁组使磁控溅射具有大的溅射面积，产生高产额的原子和离子；采用与溅射靶共轴的溅射气体充入筒形成惰性气体气流将溅射产物导向冷凝区，并在冷凝区被从缓冲气体充入筒侧壁流出的惰性气体进一步约束，使团簇的冷凝生长区被定义于一个确定的空间中，实现团簇的高效均匀生长；用冷凝区的约束磁铁形成非平衡磁场，约束电子形成高的等离子体密度，获得高的团簇离子比率。本发明可实现高强度与高离化度团簇与纳米粒子束流的产生。
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公开(公告)号：CN105701068A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610094119.9
申请日：2016-02-19
Applicant: 南京大学
IPC: G06F17/16
CPC classification number: G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于分时复用技术的cholesky矩阵求逆系统，降低了在雷达信号处理中对共轭对称矩阵求逆所使用的硬件资源，同时通过提高矩阵求逆运算的并行度来保证运算速度。本发明根据公式A = L * D * LH，通过主控状态机将cholesky分解矩阵求逆划为三个步骤进行，分别是cholesky分解、上三角矩阵求逆和矩阵相乘。在主控状态机的控制下，通过复选器，分时复用运算资源和存储资源。该技术方案是基于单端口存储器和单精度浮点复数运算单元的并行流水处理，并支持任意阶数的共轭对称矩阵求逆，有效加快了运算速度，提高了硬件利用率，且具有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN109862684B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811569589.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了单一尺寸强流团簇脉冲束产生方法，所述方法选择单一尺寸的团簇沉积于基座表面，基座保持低温并喷射氙气，形成团簇嵌埋于固态氙气膜中的团簇靶；脉冲激光照射团簇靶，释放单一尺寸强流团簇脉冲束。本发明所述方法能够在保证束流中团簇尺寸高度均一的情况下，实现极强的瞬时束流强度；本发明所述方法产生的团簇束的品质不受团簇先驱物材料性质的影响，是一种简单、普适、高稳定的脉冲团簇束，能够应用于所有常温下为固体的物质；本发明所述脉冲团簇束的形成中不含团簇成核生长的过程，因此可以在团簇源尺寸、脉冲频率和脉冲宽度的选择上具有更大的自由度，满足更多的应用需求。
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公开(公告)号：CN105701068B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610094119.9
申请日：2016-02-19
Applicant: 南京大学
IPC: G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于分时复用技术的cholesky矩阵求逆系统，降低了在雷达信号处理中对共轭对称矩阵求逆所使用的硬件资源，同时通过提高矩阵求逆运算的并行度来保证运算速度。本发明根据公式A=L*D*LH，通过主控状态机将cholesky分解矩阵求逆划为三个步骤进行，分别是cholesky分解、上三角矩阵求逆和矩阵相乘。在主控状态机的控制下，通过复选器，分时复用运算资源和存储资源。该技术方案是基于单端口存储器和单精度浮点复数运算单元的并行流水处理，并支持任意阶数的共轭对称矩阵求逆，有效加快了运算速度，提高了硬件利用率，且具有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN109862684A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811569589.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了单一尺寸强流团簇脉冲束产生方法，所述方法选择单一尺寸的团簇沉积于基座表面，基座保持低温并喷射氙气，形成团簇嵌埋于固态氙气膜中的团簇靶；脉冲激光照射团簇靶，释放单一尺寸强流团簇脉冲束。本发明所述方法能够在保证束流中团簇尺寸高度均一的情况下，实现极强的瞬时束流强度；本发明所述方法产生的团簇束的品质不受团簇先驱物材料性质的影响，是一种简单、普适、高稳定的脉冲团簇束，能够应用于所有常温下为固体的物质；本发明所述脉冲团簇束的形成中不含团簇成核生长的过程，因此可以在团簇源尺寸、脉冲频率和脉冲宽度的选择上具有更大的自由度，满足更多的应用需求。
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