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公开(公告)号：CN103956389A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410148707.7
申请日：2014-04-14
Applicant: 杭州启沛科技有限公司 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/66143 , H01L29/0611 , H01L29/0619
Abstract: 本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N-外延层，位于N+半导体衬底上；N-外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N-外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N-外延层的截面为周期性排列的凸出状。将传统TMBS里面的直角沟槽的上部沟槽宽度变宽，这样能有效的调节沟槽中不同部位的电场耦合作用，从而调节沟槽中间有源区不同深度处电场强度。使用该结构可以保持在击穿电压不减小、正向导通电压只是略有增加的情况下，实现漏电的大幅降低。
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公开(公告)号：CN103413807A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310299076.4
申请日：2013-07-15
Applicant: 常州子睦半导体有限公司 , 南京大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8222
Abstract: 本发明提供一种单向低电容瞬态电压抑制器及其制作工艺，其中该抑制器包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P-外延层，所述的P-外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第一P阱上设有第一N-有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一N-有源注入区上设有第三P+有源注入区；所述的第二N+和第三P+有源注入区、第一N+第一P+及第二P+有源注入区分别通过金属连接并引出。本发明的技术方案可在被保护器件的正常工作电压下，不会影响数据的高速传送，保证了大电流的泄放能力，而且具有更好地电流泄放能力。
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公开(公告)号：CN103219381B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310015376.5
申请日：2013-01-16
Applicant: 南京大学 , 常州子睦半导体有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种锗基三栅器件及其制造方法，该锗基三栅器件主要包括四个功能层：绝缘层上的锗（GOI）基底、氧化锗过渡层、栅极介质层、栅电极层。其中经过臭氧后氧化工艺实现的高质量超薄氧化锗过渡层和经过臭氧后氧化改善的高质量栅极介质层是实现高性能的关键层，通过牺牲氧化工艺去除锗体表面质量较差（表面粗糙度大、杂质含量高）的锗是实现高性能的关键步骤。制造过程主要包括在绝缘层上的锗（GOI）基底上沉积并刻蚀制作各功能层。本发明具有较高的效率和较低的耗电量，且制造方法简单，适于广泛应用到实际生产中。
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公开(公告)号：CN103022071B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210538715.3
申请日：2012-12-13
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L27/222
Abstract: 本发明一种柔性存储器，包括两个柔性基底，在柔性基底上方依次设有柔性霍尔器件层、粘结层、柔性位导线层、粘结层、柔性字导线层、粘结层、柔性基底；所述的柔性霍尔器件层上的霍尔器件为有磁滞效应的记忆型器件。最后封装形成柔性磁随机存储器。柔性基底为聚碳酸酯，PC、聚二甲基硅氧烷或硅橡胶PDMS膜，柔性霍尔器件层是二氧化硅硅片上淀积铁铂合金霍尔器件；粘结层采用带有溶剂的聚甲基丙烯酸甲酯加热使溶剂挥发包覆霍尔器件层的PMMA固化膜。
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公开(公告)号：CN103617576B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310591494.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 南京大学 , 中国人民解放军73921部队
Abstract: 本发明公开了一种通用设备故障检测维修方法，包括下列步骤：建模设备故障维修知识；基于模型自动检测及诊断故障并辅助维修；基于模型模拟维修训练；维修训练过程中实时优化经验知识模型；维修训练过程中实时同步维修信息与经验知识模型信息。与现有设备维修方法相比，本发明实现了设备维修经验知识的积累与共享以及设备故障的自动诊断，并能够通过对维修记录信息的分析挖掘，为维修相关决策提供帮助。此外，方法还通过模拟训练步骤实现了专家经验向初级维修者的有效传输。本发明特别适用于防化部队等需要频繁维修大量复杂设备且维修人员流动率高的场合。实践证明本方法能够显著提高设备维修效率、提升维修水平、改善维修质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103617576A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310591494.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 南京大学 , 中国人民解放军73921部队
Abstract: 本发明公开了一种通用设备故障检测维修方法，包括下列步骤：建模设备故障维修知识；基于模型自动检测及诊断故障并辅助维修；基于模型模拟维修训练；维修训练过程中实时优化经验知识模型；维修训练过程中实时同步维修信息与经验知识模型信息。与现有设备维修方法相比，本发明实现了设备维修经验知识的积累与共享以及设备故障的自动诊断，并能够通过对维修记录信息的分析挖掘，为维修相关决策提供帮助。此外，方法还通过模拟训练步骤实现了专家经验向初级维修者的有效传输。本发明特别适用于防化部队等需要频繁维修大量复杂设备且维修人员流动率高的场合。实践证明本方法能够显著提高设备维修效率、提升维修水平、改善维修质量。
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公开(公告)号：CN103956389B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410148707.7
申请日：2014-04-14
Applicant: 绍兴米来电子科技有限公司 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/66143
Abstract: 本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N‑外延层，位于N+半导体衬底上；N‑外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N‑外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N‑外延层的截面为周期性排列的凸出状。将传统TMBS里面的直角沟槽的上部沟槽宽度变宽，这样能有效的调节沟槽中不同部位的电场耦合作用，从而调节沟槽中间有源区不同深度处电场强度。使用该结构可以保持在击穿电压不减小、正向导通电压只是略有增加的情况下，实现漏电的大幅降低。
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公开(公告)号：CN103413807B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310299076.4
申请日：2013-07-15
Applicant: 常州子睦半导体有限公司 , 南京大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8222
Abstract: 本发明提供一种单向低电容瞬态电压抑制器及其制作工艺，其中该抑制器包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P-外延层，所述的P-外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第一P阱上设有第一N-有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一N-有源注入区上设有第三P+有源注入区；所述的第二N+和第三P+有源注入区、第一N+第一P+及第二P+有源注入区分别通过金属连接并引出。本发明的技术方案可在被保护器件的正常工作电压下，不会影响数据的高速传送，保证了大电流的泄放能力，而且具有更好地电流泄放能力。
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公开(公告)号：CN103065956A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210579182.3
申请日：2012-12-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/30
Abstract: 一种实现硅表面结构平滑的方法，步骤如下：通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间；基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热，在加热过程中加入氩气，氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象，在温度开始下降即600℃-1000℃时通过氮气终结硅表面的迁移，或者继续加入氩气或二氧化碳等抑制硅原子的迁移，然后在后期降温即从800℃到室温的过程中引入高纯氧气；通入氧气形成一层致密的氧化硅薄膜作为保护层材料的表面结构。本发明平滑方法同样可以改善光栅等各类表面结构。该平滑方法要求的周期短，工艺要求价格低廉，可以实现量产，并有效实现硅原子表面的平滑。
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公开(公告)号：CN103065956B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210579182.3
申请日：2012-12-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/30
Abstract: 一种实现硅表面结构平滑的方法，步骤如下：通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间；基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热，在加热过程中加入氩气，氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象，在温度开始下降即600℃-1000℃时通过氮气终结硅表面的迁移，或者继续加入氩气或二氧化碳等抑制硅原子的迁移，然后在后期降温即从800℃到室温的过程中引入高纯氧气；通入氧气形成一层致密的氧化硅薄膜作为保护层材料的表面结构。本发明平滑方法同样可以改善光栅等各类表面结构。该平滑方法要求的周期短，工艺要求价格低廉，可以实现量产，并有效实现硅原子表面的平滑。
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