公开(公告)号：CN103065956A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210579182.3

申请日：2012-12-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 王刚 ,  施毅 ,  赵毅 ,  汪翌 ,  吴汪然 ,  孙家宝 ,  王军砖 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L21/30

Abstract: 一种实现硅表面结构平滑的方法，步骤如下：通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间；基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热，在加热过程中加入氩气，氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象，在温度开始下降即600℃-1000℃时通过氮气终结硅表面的迁移，或者继续加入氩气或二氧化碳等抑制硅原子的迁移，然后在后期降温即从800℃到室温的过程中引入高纯氧气；通入氧气形成一层致密的氧化硅薄膜作为保护层材料的表面结构。本发明平滑方法同样可以改善光栅等各类表面结构。该平滑方法要求的周期短，工艺要求价格低廉，可以实现量产，并有效实现硅原子表面的平滑。

公开(公告)号：CN103065956B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201210579182.3

申请日：2012-12-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 王刚 ,  施毅 ,  赵毅 ,  汪翌 ,  吴汪然 ,  孙家宝 ,  王军砖 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L21/30

Abstract: 一种实现硅表面结构平滑的方法，步骤如下：通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间；基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热，在加热过程中加入氩气，氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象，在温度开始下降即600℃-1000℃时通过氮气终结硅表面的迁移，或者继续加入氩气或二氧化碳等抑制硅原子的迁移，然后在后期降温即从800℃到室温的过程中引入高纯氧气；通入氧气形成一层致密的氧化硅薄膜作为保护层材料的表面结构。本发明平滑方法同样可以改善光栅等各类表面结构。该平滑方法要求的周期短，工艺要求价格低廉，可以实现量产，并有效实现硅原子表面的平滑。