公开(公告)号：CN103219381B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310015376.5

申请日：2013-01-16

Applicant: 南京大学 ,  常州子睦半导体有限公司

Inventor： 赵毅 ,  孙家宝 ,  施毅 ,  赵杰 ,  董晓宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种锗基三栅器件及其制造方法，该锗基三栅器件主要包括四个功能层：绝缘层上的锗（GOI）基底、氧化锗过渡层、栅极介质层、栅电极层。其中经过臭氧后氧化工艺实现的高质量超薄氧化锗过渡层和经过臭氧后氧化改善的高质量栅极介质层是实现高性能的关键层，通过牺牲氧化工艺去除锗体表面质量较差（表面粗糙度大、杂质含量高）的锗是实现高性能的关键步骤。制造过程主要包括在绝缘层上的锗（GOI）基底上沉积并刻蚀制作各功能层。本发明具有较高的效率和较低的耗电量，且制造方法简单，适于广泛应用到实际生产中。

公开(公告)号：CN103065956A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210579182.3

申请日：2012-12-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 王刚 ,  施毅 ,  赵毅 ,  汪翌 ,  吴汪然 ,  孙家宝 ,  王军砖 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L21/30

Abstract: 一种实现硅表面结构平滑的方法，步骤如下：通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间；基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热，在加热过程中加入氩气，氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象，在温度开始下降即600℃-1000℃时通过氮气终结硅表面的迁移，或者继续加入氩气或二氧化碳等抑制硅原子的迁移，然后在后期降温即从800℃到室温的过程中引入高纯氧气；通入氧气形成一层致密的氧化硅薄膜作为保护层材料的表面结构。本发明平滑方法同样可以改善光栅等各类表面结构。该平滑方法要求的周期短，工艺要求价格低廉，可以实现量产，并有效实现硅原子表面的平滑。

公开(公告)号：CN103065956B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201210579182.3

申请日：2012-12-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 王刚 ,  施毅 ,  赵毅 ,  汪翌 ,  吴汪然 ,  孙家宝 ,  王军砖 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L21/30

Abstract: 一种实现硅表面结构平滑的方法，步骤如下：通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间；基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热，在加热过程中加入氩气，氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象，在温度开始下降即600℃-1000℃时通过氮气终结硅表面的迁移，或者继续加入氩气或二氧化碳等抑制硅原子的迁移，然后在后期降温即从800℃到室温的过程中引入高纯氧气；通入氧气形成一层致密的氧化硅薄膜作为保护层材料的表面结构。本发明平滑方法同样可以改善光栅等各类表面结构。该平滑方法要求的周期短，工艺要求价格低廉，可以实现量产，并有效实现硅原子表面的平滑。

公开(公告)号：CN103219381A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310015376.5

申请日：2013-01-16

Applicant: 南京大学 ,  常州子睦半导体有限公司

Inventor： 赵毅 ,  孙家宝 ,  施毅 ,  赵杰 ,  董晓宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种锗基三栅器件及其制造方法，该锗基三栅器件主要包括四个功能层：绝缘层上的锗（GOI）基底、氧化锗过渡层、栅极介质层、栅电极层。其中经过臭氧后氧化工艺实现的高质量超薄氧化锗过渡层和经过臭氧后氧化改善的高质量栅极介质层是实现高性能的关键层，通过牺牲氧化工艺去除锗体表面质量较差（表面粗糙度大、杂质含量高）的锗是实现高性能的关键步骤。制造过程主要包括在绝缘层上的锗（GOI）基底上沉积并刻蚀制作各功能层。本发明具有较高的效率和较低的耗电量，且制造方法简单，适于广泛应用到实际生产中。