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公开(公告)号：CN118591246A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410654974.5
申请日：2024-05-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于QLED阵列器件和光刻图案化技术领域，特别涉及一种基于膦光敏剂无胶光刻空穴传输层和电子传输层的方法，本发明首次使用含有有机膦的分子作为光敏剂，以三苯基膦和三(2‑吡啶基)膦为例，在不使用高分子光刻胶以及室温紫外曝光的简单条件下实现了对包括聚[(9,9‑二辛基芴‑2,7‑二基)‑共‑(4,4′‑(N‑(4‑仲丁基苯基)二苯胺)]、聚[4,4′‑(N‑(4‑仲丁基苯基)二苯胺)]等空穴传输层材料的高分辨率光刻图案化，以及对包括MgZnO纳米晶、ZnO纳米晶等电子传输层材料的高分辨率光刻图案化，该技术可以实现空穴传输层和电子传输层图案形貌的精确调控，所形成图案具有高分辨率和表面形貌平整均一的特点，对搭建高性能和长寿命QLED具有重要意义，并且拓宽了传统无胶光刻技术的应用范围。
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公开(公告)号：CN118954441A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410874746.9
申请日：2024-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于新型二维半导体纳米材料的设计与合成技术领域，特别涉及一种合成新型二维半导体合金纳米片的方法，本发明基于新型无机共价化合物CICs作为反应中间体，借助伯胺的软膜板辅助策略，成功发展制备了系列纤锌矿型型Ⅱ‑Ⅳ族二维半导体合金纳米片；通过调控CICs组成及投料比，可以对合金纳米片的组成进行精确调控，允许二元、三元、四元等多元合金纳米片的合成调控；该技术不仅充实了新型功能化合金纳米片材料库，推动了功能纳米晶设计领域的发展，更为材料科学领域提供了新的技术路线支持。
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公开(公告)号：CN118651890A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410874745.4
申请日：2024-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于纳米材料合成领域，特别涉及一种通过阴离子交换构建二维半导体纳米晶体的方法，在含有伯胺或仲胺或叔胺基团的分子的保护作用下，客体阴离子与半导体纳米片中的主体阴离子发生交换反应，实现不同成分纳米片之间的转化；阴离子交换并不会破坏纳米片的原始形貌和晶体结构，避免“Kirkendall”效应；客体阴离子优先吸附在纳米片的极性面上，进而与该面的阴离子发生交换；动力学研究表明客体离子通过一维扩散的方式进入纳米片的内部；本发明的方法不需要高温或者高压等苛刻的实验条件，可以在温和的条件进行，易于操作；阴离子交换并不需要额外合成其它化学试剂，可以直接使用商用的化学试剂，成本低廉。
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