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公开(公告)号：CN118651890A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410874745.4
申请日：2024-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于纳米材料合成领域，特别涉及一种通过阴离子交换构建二维半导体纳米晶体的方法，在含有伯胺或仲胺或叔胺基团的分子的保护作用下，客体阴离子与半导体纳米片中的主体阴离子发生交换反应，实现不同成分纳米片之间的转化；阴离子交换并不会破坏纳米片的原始形貌和晶体结构，避免“Kirkendall”效应；客体阴离子优先吸附在纳米片的极性面上，进而与该面的阴离子发生交换；动力学研究表明客体离子通过一维扩散的方式进入纳米片的内部；本发明的方法不需要高温或者高压等苛刻的实验条件，可以在温和的条件进行，易于操作；阴离子交换并不需要额外合成其它化学试剂，可以直接使用商用的化学试剂，成本低廉。
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