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公开(公告)号：CN117420729B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311132211.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于纳米材料图案化方法技术领域，特别涉及一种基于有机磷配体的纳米晶体在光学图案化中的应用，本发明通过引入含磷基团的有机分子作为光敏配体，将纳米晶体转变为光敏涂料，实现直接图案化；本发明解决了在完成图案化的过程中有效降低纳米晶体性能损失的问题，且具有以下几点优势：1)高度的区域/立体专一性；2)光敏区间可调，适用于DUV，i‑line和h‑line光源光刻；3)具有高的反应灵敏度，需要极低的曝光剂量；4)对环境不敏感，可在空气氛中操作，反应条件温和，易于操作；本发明的工艺有望在电致及光致发光量子点显示器领域纳米晶体的商业化中得到应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117420729A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311132211.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于纳米材料图案化方法技术领域，特别涉及一种基于有机磷配体的纳米晶体无胶光刻方法，本发明通过引入含磷基团的有机分子作为光敏配体，将纳米晶体转变为光敏涂料，实现直接图案化；本发明解决了在完成图案化的过程中有效降低纳米晶体性能损失的问题，且具有以下几点优势：1)高度的区域/立体专一性；2)光敏区间可调，适用于DUV，i‑line和h‑line光源光刻；3)具有高的反应灵敏度，需要极低的曝光剂量；4)对环境不敏感，可在空气氛中操作，反应条件温和，易于操作；本发明的工艺有望在电致及光致发光量子点显示器领域纳米晶体的商业化中得到应用。
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公开(公告)号：CN118954441A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410874746.9
申请日：2024-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于新型二维半导体纳米材料的设计与合成技术领域，特别涉及一种合成新型二维半导体合金纳米片的方法，本发明基于新型无机共价化合物CICs作为反应中间体，借助伯胺的软膜板辅助策略，成功发展制备了系列纤锌矿型型Ⅱ‑Ⅳ族二维半导体合金纳米片；通过调控CICs组成及投料比，可以对合金纳米片的组成进行精确调控，允许二元、三元、四元等多元合金纳米片的合成调控；该技术不仅充实了新型功能化合金纳米片材料库，推动了功能纳米晶设计领域的发展，更为材料科学领域提供了新的技术路线支持。
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公开(公告)号：CN117130234A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310960262.1
申请日：2023-08-02
Applicant: 南京大学
IPC: G03F7/32
Abstract: 本发明属于纳米材料和光学刻蚀技术领域，特别涉及一种无胶光刻量子点显影方法及其在图案化薄膜器件中应用；本发明通过在无配位或弱配位功能的单一溶剂中引入具有配位作用的功能分子，在实现显影和洗脱效果的同时，保证纳米晶体表面的配体分子不受影响，纳米晶体图案化后仍然具有原有的性能；本发明开发一种新的显影方式，将旋涂技术引入显影和洗脱方法中，通过转速的调整，实现对整个过程的精准控制，保证纳米晶体薄膜的均一度，避免在图案化不同纳米晶体的时候发生交叉污染，保证相关器件高效的工作性能。
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公开(公告)号：CN102386337A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110263158.4
申请日：2011-09-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及P-N结柔性太阳电池的制备方法，包括步骤：a．将CuCl2.2H2O,InCl3.4H2O,CH4N2S硫脲，放入酒精中，转移至高压釜中，反应温度为120-180℃，反应时间为6-12h，将产物CuInS2洗涤烘干；其中四水合氯化铟：氯化亚铜：硫脲的摩尔比为1:1:2~1:2:6；b．将P25制备成油胶，用提拉机均匀制备于金属丝网上；在100-500℃下烧结；时间为80-180min；c．将CuInS2均匀分散在PVDF或PVDF-HFP吡咯烷酮溶液中；d．将步骤c所得均匀分布在步骤b所制得的金属丝网上，90-140℃下干燥，制备得到光电极。本方法工艺简单，成本低廉，可制备大面积太阳电池。
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公开(公告)号：CN102386337B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110263158.4
申请日：2011-09-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及P-N结柔性太阳电池的制备方法，包括步骤：a．将CuCl2.2H2O,InCl3.4H2O,CH4N2S硫脲，放入酒精中，转移至高压釜中，反应温度为120-180℃，反应时间为6-12h，将产物CuInS2洗涤烘干；其中四水合氯化铟：氯化亚铜：硫脲的摩尔比为1:1:2~1:2:6；b．将P25制备成油胶，用提拉机均匀制备于金属丝网上；在100-500℃下烧结；时间为80-180min；c．将CuInS2均匀分散在PVDF或PVDF-HFP吡咯烷酮溶液中；d．将步骤c所得均匀分布在步骤b所制得的金属丝网上，90-140℃下干燥，制备得到光电极。本方法工艺简单，成本低廉，可制备大面积太阳电池。
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