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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109898058B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910259731.0
申请日：2019-04-02
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明公开了一种利用饱和蒸汽压提高蒸发束流稳定性的组合坩埚和具有该坩埚的源炉，属于薄膜生长技术领域。本发明的组合坩埚包括坩埚上部和坩埚下部，坩埚上部通过支撑台连接坩埚下部，支撑台上设置有活动限流组件，活动限流组件为可拆卸装置，活动限流组件上设置有限流孔。本发明通过在支撑台放入限流组件，使得坩埚装料区域达到饱和蒸汽压，控制蒸发速率使其完全依赖于可以稳定控制的坩埚温度，避免生长过程中蒸发源材料表面形貌变化对蒸发束流的影响，大幅提高束流稳定性以制备更高质量的薄膜。
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公开(公告)号：CN111521564A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010314387.3
申请日：2020-04-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种原位测量应力作用下材料面外热导率的装置及方法，所述装置包括时域热反射测量系统和拉伸样品台，偏振分束器一将飞秒脉冲激光器发射的激光分成泵浦光和探测光，泵浦光经过延迟位移台、光反射镜，探测光经过光学分束器，在偏振分束器二处合束，并聚焦在拉伸样品台上。所述方法包括以下步骤：在样品表面镀膜；样品固定在拉伸样品台上；使泵浦光的入射和出射方向平行；打开飞秒脉冲激光器，调节使光探测器接收的信号最大；进行一次测量，将信号发送给锁相放大器；结果与传热模型拟合，获得热导率数值；调节样品达到下一个应变状态；重复步骤5～7，直至测量结束。本发明能够实现对同一样品在不同应变情况下热导率演变规律的原位表征。
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公开(公告)号：CN114005875B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111282552.2
申请日：2021-11-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，属于材料科学技术领域。它包括将金属设置于绝缘体表面，所述金属与绝缘体的接触面为金属/绝缘体界面；所述绝缘体包括铁电体；对铁电体施加外电场或应力，通过调节外电场或应力的大小或其方向与金属/绝缘体界面之间的夹角来调控金属/绝缘体界面热导。本发明能通过调控界面聚集电荷调控金属/绝缘体界面热导，从而有效提升界面热导率的调控效率和便捷度，这对于电力电子器件的热管理具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114005875A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111282552.2
申请日：2021-11-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种调控金属/绝缘体界面热导的方法，属于材料科学技术领域。它包括将金属设置于绝缘体表面，所述金属与绝缘体的接触面为金属/绝缘体界面；所述绝缘体包括铁电体；对铁电体施加外电场或应力，通过调节外电场或应力的大小或其方向与金属/绝缘体界面之间的夹角来调控金属/绝缘体界面热导。本发明能通过调控界面聚集电荷调控金属/绝缘体界面热导，从而有效提升界面热导率的调控效率和便捷度，这对于电力电子器件的热管理具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109898058A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910259731.0
申请日：2019-04-02
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明公开了一种利用饱和蒸汽压提高蒸发束流稳定性的组合坩埚和具有该坩埚的源炉，属于薄膜生长技术领域。本发明的组合坩埚包括坩埚上部和坩埚下部，坩埚上部通过支撑台连接坩埚下部，支撑台上设置有活动限流组件，活动限流组件为可拆卸装置，活动限流组件上设置有限流孔。本发明通过在支撑台放入限流组件，使得坩埚装料区域达到饱和蒸汽压，控制蒸发速率使其完全依赖于可以稳定控制的坩埚温度，避免生长过程中蒸发源材料表面形貌变化对蒸发束流的影响，大幅提高束流稳定性以制备更高质量的薄膜。
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