公开(公告)号：CN109898058A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910259731.0

申请日：2019-04-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 聂越峰 ,  赵蕴琦 ,  臧一鹏

IPC: C23C14/24

Abstract: 本发明公开了一种利用饱和蒸汽压提高蒸发束流稳定性的组合坩埚和具有该坩埚的源炉，属于薄膜生长技术领域。本发明的组合坩埚包括坩埚上部和坩埚下部，坩埚上部通过支撑台连接坩埚下部，支撑台上设置有活动限流组件，活动限流组件为可拆卸装置，活动限流组件上设置有限流孔。本发明通过在支撑台放入限流组件，使得坩埚装料区域达到饱和蒸汽压，控制蒸发速率使其完全依赖于可以稳定控制的坩埚温度，避免生长过程中蒸发源材料表面形貌变化对蒸发束流的影响，大幅提高束流稳定性以制备更高质量的薄膜。

公开(公告)号：CN109898058B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910259731.0

申请日：2019-04-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 聂越峰 ,  赵蕴琦 ,  臧一鹏

IPC: C23C14/24

Abstract: 本发明公开了一种利用饱和蒸汽压提高蒸发束流稳定性的组合坩埚和具有该坩埚的源炉，属于薄膜生长技术领域。本发明的组合坩埚包括坩埚上部和坩埚下部，坩埚上部通过支撑台连接坩埚下部，支撑台上设置有活动限流组件，活动限流组件为可拆卸装置，活动限流组件上设置有限流孔。本发明通过在支撑台放入限流组件，使得坩埚装料区域达到饱和蒸汽压，控制蒸发速率使其完全依赖于可以稳定控制的坩埚温度，避免生长过程中蒸发源材料表面形貌变化对蒸发束流的影响，大幅提高束流稳定性以制备更高质量的薄膜。