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公开(公告)号:CN1845405A
公开(公告)日:2006-10-11
申请号:CN200610038806.5
申请日:2006-03-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01S3/16
Abstract: 本发明涉及一种以化学计量比钽酸锂超晶格为变频晶体的光参量振荡激光器。该激光器以化学计量比钽酸锂光学超晶格为非线性变频晶体,采用532nm激光器为抽运光源,通过改变周期(在周期超晶格中),或者使用准周期、非周期结构,并辅助以温度调节,能实现从可见光到中红外(3至4微米)范围宽调谐激光输出。输出的激光可以是连续的,也可以是脉冲的,可以是高重复频率,也可以是低重复频率,取决于抽运光源的工作特性。并且可以通过设计不同的谐振腔来满足不同的应用需求。由于化学计量比钽酸锂晶体存在比较弱的光折变效应,调节温度范围为80℃-250℃。
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公开(公告)号:CN114107974B
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202111514123.3
申请日:2021-12-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种在PCB用铜箔表面涂覆硅烷偶联剂的工艺通过对涂覆在PCB用铜箔表面偶联剂层的热处理,使其形成与金属表面化学结合的内层和附着的物理吸附的外层,再利用乙醇/水混合溶剂对其进行洗涤,洗去多余的物理吸附的偶联剂。在热处理和洗涤二道工序过程中,用AFM‑IR检测偶联剂在粗糙面上的空间立体分布,用XPS检测金属表面硅含量的变化,使得铜箔表面的偶联剂用量适当而又分布均匀,避免了在PCB板材界面局部区域堆砌大量的高介电常数的硅羟基化合物,有利于提高PCB板在高温高湿条件下介电性质的稳定性。
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公开(公告)号:CN114200164A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202111513671.4
申请日:2021-12-10
IPC: G01Q60/24 , G01N21/3563 , G01N1/30 , G01N1/34 , G01N1/44
Abstract: 本发明公开了在AFM‑IR监测下用二氯甲烷/甲醇混合溶剂去除铜箔表面痕量杂质的方法,该方法具有杂质去除效率高的优点。通过具有超高灵敏度的AFM‑IR检测技术对洗涤前后高频高速印刷电路板(PCB)用铜箔表面吸附杂质的相对含量进行表征,本发明可去除铜箔表面约95%的有机杂质。
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公开(公告)号:CN114199807B
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202111514122.9
申请日:2021-12-10
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/35 , G01N21/3563 , G01Q60/24 , G01N1/28 , G01N1/44
Abstract: 一种检测摩擦取向前后液晶显示面板中聚酰亚胺取向剂涂层表面分子链取向结构变化的AFM‑IR方法,通过该方法可对摩擦力作用下PI分子链中官能团的空间取向结构进行定性分析。该方法操作简单,可快速、准确地表征摩擦取向前后PI涂层表面分子链的取向结构变化;AFM‑IR技术的检测灵敏度高,空间分辨率可达10nm以下,可从纳米尺度上检测PI涂层表面摩擦取向程度,通过比较摩擦取向前后红外强度的变化程度,判断PI分子链的取向排列的各向异性。
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公开(公告)号:CN114199807A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202111514122.9
申请日:2021-12-10
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/35 , G01N21/3563 , G01Q60/24 , G01N1/28 , G01N1/44
Abstract: 一种检测摩擦取向前后液晶显示面板中聚酰亚胺取向剂涂层表面分子链取向结构变化的AFM‑IR方法,通过该方法可对摩擦力作用下PI分子链中官能团的空间取向结构进行定性分析。该方法操作简单,可快速、准确地表征摩擦取向前后PI涂层表面分子链的取向结构变化;AFM‑IR技术的检测灵敏度高,空间分辨率可达10nm以下,可从纳米尺度上检测PI涂层表面摩擦取向程度,通过比较摩擦取向前后红外强度的变化程度,判断PI分子链的取向排列的各向异性。
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公开(公告)号:CN114107974A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111514123.3
申请日:2021-12-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种在PCB用铜箔表面涂覆硅烷偶联剂的工艺通过对涂覆在PCB用铜箔表面偶联剂层的热处理,使其形成与金属表面化学结合的内层和附着的物理吸附的外层,再利用乙醇/水混合溶剂对其进行洗涤,洗去多余的物理吸附的偶联剂。在热处理和洗涤二道工序过程中,用AFM‑IR检测偶联剂在粗糙面上的空间立体分布,用XPS检测金属表面硅含量的变化,使得铜箔表面的偶联剂用量适当而又分布均匀,避免了在PCB板材界面局部区域堆砌大量的高介电常数的硅羟基化合物,有利于提高PCB板在高温高湿条件下介电性质的稳定性。
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