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公开(公告)号：CN117802466A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311849894.7
申请日：2023-12-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种Sc掺杂AlN铁电薄膜及其电容器的制备方法，包括以下几个步骤，第一步，首先进行n‑GaN/Al2O3基片的清洗；第二步，用铝箔纸覆盖n‑GaN/Al2O3基片，并在暴露处镀Pt层；第三步，取出n‑GaN/Al2O3基片，将基片粘在样品台上置入溅射室；第四步，将n‑GaN/Al2O3基片加热，溅射使靶材起辉，起辉后先降低溅射压强，通入反应气N2，预溅射；第五步，预溅射结束打开挡板，在基底表面沉积Sc掺杂AlN薄膜，溅射30min；第六步，在样品表面覆盖圆形掩膜板，固定在磁控溅射样品台上置入溅射室，在样品表面溅射形成圆形顶电极。本发明提出的反应磁控溅射制备Sc掺杂AlN铁电薄膜的方法制备的薄膜纯度高、致密性好、成膜均匀性好；操作工艺简单、能耗低、无污染且易于实现工业化。
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公开(公告)号：CN116581232A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310541040.6
申请日：2023-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种改性锌金属负极及其方法，属于水系锌离子电池负极技术领域，本发明使用水热方法制备异质结铁电材料，然后将铁电材料覆盖在锌金属负极上，得到铁电材料改性的锌金属负极；本发明中异质结铁电材料包括铁电材料和亲锌材料，铁电材料由于自发极化的特性，与极化方向相反的带负电的铁电体表面在镀锌过程中会吸引大量的锌离子，铁电效应改善了反应界面处电场分布和离子传输；制备的异质结铁电材料具有高介电常数、高击穿电压和良好的界面相容性，可以有效阻断电子通路，减少副反应，进一步保证电化学可逆性；而且可以提供均匀的锌结合位点，引导锌均匀沉积。
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公开(公告)号：CN119815842A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510276203.1
申请日：2025-03-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种La掺杂氧化铪基铁电薄膜、电容器及其制备方法，所述La掺杂氧化铪基铁电薄膜为单一（111）取向的正交相结构，制备方法为先在（111）取向钙钛矿衬底上外延生长取向一致的缓冲层，再在缓冲层表面外延生长La掺杂氧化铪基铁电薄膜层，得到La掺杂氧化铪基铁电薄膜，精确调控薄膜厚度，实现对La掺杂氧化铪基铁电薄膜性能的优化，满足电子器件对高性能铁电薄膜的需求。本发明提出的激光脉冲沉积外延La掺杂氧化铪基铁电薄膜纯度高、成膜均匀性好；同时操作工艺简单、能耗低、无污染并且易于实现工业化。
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