公开(公告)号：CN117802466A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311849894.7

申请日：2023-12-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 吴迪 ,  安柄炫 ,  矫佩杰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明公开了一种Sc掺杂AlN铁电薄膜及其电容器的制备方法，包括以下几个步骤，第一步，首先进行n‑GaN/Al2O3基片的清洗；第二步，用铝箔纸覆盖n‑GaN/Al2O3基片，并在暴露处镀Pt层；第三步，取出n‑GaN/Al2O3基片，将基片粘在样品台上置入溅射室；第四步，将n‑GaN/Al2O3基片加热，溅射使靶材起辉，起辉后先降低溅射压强，通入反应气N2，预溅射；第五步，预溅射结束打开挡板，在基底表面沉积Sc掺杂AlN薄膜，溅射30min；第六步，在样品表面覆盖圆形掩膜板，固定在磁控溅射样品台上置入溅射室，在样品表面溅射形成圆形顶电极。本发明提出的反应磁控溅射制备Sc掺杂AlN铁电薄膜的方法制备的薄膜纯度高、致密性好、成膜均匀性好；操作工艺简单、能耗低、无污染且易于实现工业化。