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公开(公告)号：CN119815842A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510276203.1
申请日：2025-03-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种La掺杂氧化铪基铁电薄膜、电容器及其制备方法，所述La掺杂氧化铪基铁电薄膜为单一（111）取向的正交相结构，制备方法为先在（111）取向钙钛矿衬底上外延生长取向一致的缓冲层，再在缓冲层表面外延生长La掺杂氧化铪基铁电薄膜层，得到La掺杂氧化铪基铁电薄膜，精确调控薄膜厚度，实现对La掺杂氧化铪基铁电薄膜性能的优化，满足电子器件对高性能铁电薄膜的需求。本发明提出的激光脉冲沉积外延La掺杂氧化铪基铁电薄膜纯度高、成膜均匀性好；同时操作工艺简单、能耗低、无污染并且易于实现工业化。
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