一种低噪声高带宽的电流传感芯片设计

    公开(公告)号:CN114036880A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111323210.0

    申请日:2021-11-09

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提出了一种低噪声高带宽的电流传感芯片,其特征在于,包括低噪声甲乙类运算放大器A1和由反向放大器B与电流衰减器C所组成的高性能伪电阻RF。其显著优势在于本发明提出的电流传感芯片设计可以在芯片内小面积上实现等效的大阻值反馈电阻,提供高达1GΩ的跨阻增益,同时相对于片外电阻,具有低噪声,小面积,线性度好和宽调节范围等优点,可以实现16kHz的信号带宽以及带宽下等效噪声电流有效幅值为0.7pA,适合于在芯片内部实现高跨阻增益、高带宽和低噪声的电流探测。

    基于成像芯片表面的微电极阵列及制作工艺

    公开(公告)号:CN115290869A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210894405.9

    申请日:2022-07-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于成像芯片表面的微电极阵列及制作工艺,涉及细胞光学和生理信号探测,包括对细胞级别的生物组织进行成像的商用或专用成像芯片、微电极阵列、引线、触点和表面绝缘阻隔层构成。成像芯片是可对单细胞级别生物组织进行实时光学成像的商用或者专用成像芯片;微电极阵列是基于成像芯片表面、通过后期微加工技术制作的,其具有良好的生物兼容性和电学特性,其阵列规模、微电极尺寸、间隔以及排布方式可以根据需要设置;所述微电极通过引线连接到位于成像芯片四周边缘的触点上,微电极与触点一一对应;引线上覆盖一层表面绝缘阻隔层,以防止溶液引起引线与引线之间的串联。

    一种低温漂伪阻设计
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113867469B

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202111229807.9

    申请日:2021-10-21

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提出一种低温漂伪阻设计,包括MOS管M1~M10、MR1、MR2,电阻R,PNP三极管Q1、Q2,电流源IP1~IPnIN1~INm,在高性能偏置电路基础上增加额外的多阶温度补偿模块实现低温漂伪阻设计,通过合理设置管子尺寸大小以及电阻阻值,可以使得在特定温度下温度补偿模块参与伪电阻偏置电流的调节之中,并且可以设定多个温度补偿节点,使得伪阻的温度系数大大降低,如在‑40℃~80℃温度范围内,温度系数可低至19.8ppm/℃。

    一种低温漂伪阻设计
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113867469A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111229807.9

    申请日:2021-10-21

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提出一种低温漂伪阻设计,包括MOS管M1~M10、MR1、MR2,电阻R,PNP三极管Q1、Q2,电流源IP1~IPnIN1~INm,在高性能偏置电路基础上增加额外的多阶温度补偿模块实现低温漂伪阻设计,通过合理设置管子尺寸大小以及电阻阻值,可以使得在特定温度下温度补偿模块参与伪电阻偏置电流的调节之中,并且可以设定多个温度补偿节点,使得伪阻的温度系数大大降低,如在‑40℃~80℃温度范围内,温度系数可低至19.8ppm/℃。

    一种基于异质集成封装的一体化纳米孔道检测芯片

    公开(公告)号:CN114740197A

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202210532560.6

    申请日:2022-05-19

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提出了一种基于异质集成封装的一体化纳米孔道探测芯片,可应用于纳米孔道的芯片级集成,实现一体化检测芯片。包含:在氧化硅片表面通过多道工艺制备包含纳米孔道通道阵列的结构芯片;将所述结构芯片与标准CMOS工艺的电流放大芯片分别进行机械化学抛光,直至相同厚度;将所述两种抛光后的芯片粘贴至同一转接板并进行金线互联得到异质集成封装基底;用绝缘防水的封装材料对所述异质集成封装基底进行塑封,得到异质集成封装芯片;采用稳定的粘合材料将无底培养皿固定在表面构成检测池,得到一体化纳米孔道检测芯片。

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