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公开(公告)号：CN115166007B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210894479.2
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京大学 , 中国人民解放军陆军军医大学第一附属医院
IPC: G01N27/416 , G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种细胞电位非接触检测装置。该装置包括非接触层、PCB基底电极、信号转接口、细胞培养皿、多通道信号处理电路系统板和上位机。在现有胞外电位传感器的基础上增加非接触层，通过合理选择非接触层的材质及厚度，可以实现细胞外电位的非接触式检测。本装置改善了细胞与电极间的耦合情况，增加了对电极尺寸、材质选择的灵活性，简化了电极制作，且容易替换，检测方便。
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公开(公告)号：CN114036880A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111323210.0
申请日：2021-11-09
Applicant: 南京大学
IPC: G06F30/32 , G06F119/10
Abstract: 本发明提出了一种低噪声高带宽的电流传感芯片，其特征在于，包括低噪声甲乙类运算放大器A1和由反向放大器B与电流衰减器C所组成的高性能伪电阻RF。其显著优势在于本发明提出的电流传感芯片设计可以在芯片内小面积上实现等效的大阻值反馈电阻，提供高达1GΩ的跨阻增益，同时相对于片外电阻，具有低噪声，小面积，线性度好和宽调节范围等优点，可以实现16kHz的信号带宽以及带宽下等效噪声电流有效幅值为0.7pA，适合于在芯片内部实现高跨阻增益、高带宽和低噪声的电流探测。
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公开(公告)号：CN117250466A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311422036.4
申请日：2023-10-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种MOSFET器件漏极电流自动测量系统，包括栅极电压发生电路设计，漏极电流读取电路设计，漏极电压发生器设计，MCU主控模块设计，串口通信及PC端上位机，其特征在于通过单片机的DAC输出等步长变化的栅极电压，通过跨阻电路将电流量转换为电压量，通过单片机的ADC采集漏极电流转换后的电压值，通过串口模块将ADC的采样值传输至上位机软件进行处理并展示；本发明提出了一种通过等步长改变栅极电压大小来测量不同栅压下的漏极电流的系统，由此获得MOSFET器件栅极电压与漏极电流的对应关系，以供器件设计者测评FET的实际特性曲线与仿真设计的一致性，具有成本低、轻便易携、方便操作等显著特点。
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公开(公告)号：CN115290869A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210894405.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: G01N33/483 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于成像芯片表面的微电极阵列及制作工艺，涉及细胞光学和生理信号探测，包括对细胞级别的生物组织进行成像的商用或专用成像芯片、微电极阵列、引线、触点和表面绝缘阻隔层构成。成像芯片是可对单细胞级别生物组织进行实时光学成像的商用或者专用成像芯片；微电极阵列是基于成像芯片表面、通过后期微加工技术制作的，其具有良好的生物兼容性和电学特性，其阵列规模、微电极尺寸、间隔以及排布方式可以根据需要设置；所述微电极通过引线连接到位于成像芯片四周边缘的触点上，微电极与触点一一对应；引线上覆盖一层表面绝缘阻隔层，以防止溶液引起引线与引线之间的串联。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113867469B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111229807.9
申请日：2021-10-21
Applicant: 南京大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提出一种低温漂伪阻设计，包括MOS管M1～M10、MR1、MR2，电阻R，PNP三极管Q1、Q2，电流源IP1～IPnIN1～INm，在高性能偏置电路基础上增加额外的多阶温度补偿模块实现低温漂伪阻设计，通过合理设置管子尺寸大小以及电阻阻值，可以使得在特定温度下温度补偿模块参与伪电阻偏置电流的调节之中，并且可以设定多个温度补偿节点，使得伪阻的温度系数大大降低，如在‑40℃～80℃温度范围内，温度系数可低至19.8ppm/℃。
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公开(公告)号：CN115166007A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210894479.2
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京大学 , 中国人民解放军陆军军医大学第一附属医院
IPC: G01N27/416 , G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种细胞电位非接触检测装置。该装置包括非接触层、PCB基底电极、信号转接口、细胞培养皿、多通道信号处理电路系统板和上位机。在现有胞外电位传感器的基础上增加非接触层，通过合理选择非接触层的材质及厚度，可以实现细胞外电位的非接触式检测。本装置改善了细胞与电极间的耦合情况，增加了对电极尺寸、材质选择的灵活性，简化了电极制作，且容易替换，检测方便。
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公开(公告)号：CN117411444A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311384965.0
申请日：2023-10-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了一种可提高跨阻放大器带宽的方法，其特征在于，包括全差分运算放大器(A)、T型电阻和反馈电容(B1、B2)、信号源(C)以及调节电容(D)组成的跨阻放大器。其显著优势在于本发明提出的可提高跨阻放大器带宽的方法通过B1、B2中的T型电阻等效将电路的输入端的电阻控制在一个固定值，且在已知信号源(C)中的电容大小情况下，通过控制调节电容(D)的值在电路中产生一对零极点对从而提高带宽。
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公开(公告)号：CN117096113A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310619065.3
申请日：2023-05-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/544 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公布了一种基于异质封装的成像电学双模探测芯片，其特征在于，包括成像芯片、微电极阵列、引线、触点、封装管壳；所述成像芯片和微电极阵列的触点通过异质封装的方式连接到封装管壳。其显著优势在于，避免了流片设计和二次加工的复杂过程，同时封装的灵活性使得可以根据应用场景的需求调整微电极阵列的尺寸、布局和间距，以更好的适应需求。
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公开(公告)号：CN113867469A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111229807.9
申请日：2021-10-21
Applicant: 南京大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提出一种低温漂伪阻设计，包括MOS管M1～M10、MR1、MR2，电阻R，PNP三极管Q1、Q2，电流源IP1～IPnIN1～INm，在高性能偏置电路基础上增加额外的多阶温度补偿模块实现低温漂伪阻设计，通过合理设置管子尺寸大小以及电阻阻值，可以使得在特定温度下温度补偿模块参与伪电阻偏置电流的调节之中，并且可以设定多个温度补偿节点，使得伪阻的温度系数大大降低，如在‑40℃～80℃温度范围内，温度系数可低至19.8ppm/℃。
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