公开(公告)号：CN1305232A

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN01108248.8

申请日：2001-02-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  吴军 ,  杨红官 ,  袁晓莉 ,  张荣 ,  韩平 ,  沈波 ,  胡立群 ,  江若琏 ,  朱顺明

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/105

Abstract: 锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器,即金属－氧化物－半导体存储器,以锗/硅复合纳米晶粒镶嵌在二氧化硅中浮栅存储器结构,本发明提出了一种采用锗/硅复合纳米晶粒替代硅纳米晶粒作为NOSFET存储器,即电荷存储单元,使其在较快的擦写时间条件下,仍然有很长的存储时间。