一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN114724955A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210416790.6

    申请日:2022-04-20

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法,所述镧锰氧/铱酸锶异质结是采用脉冲激光沉积法制备,经过预处理好的基片放入真空腔室内加热到一定的温度,在一定的氧气压力条件下,利用脉冲激光轰击靶材产生的等离子羽辉沉积样品,首先沉积铱酸锶薄膜,沉积结束后进行原位退火,之后在相同条件下以相同步骤继续沉积镧锰氧薄膜,最后再原位退火后降温至室温。本发明制备的镧锰氧/铱酸锶异质结制备方法简单快捷,所制备的镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜具有明显的界面磁性,通过调节异质结中镧锰氧的厚度可以有效的对异质结的界面磁性进行调控,在自旋电子器件领域有着广阔的应用前景。

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