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公开(公告)号：CN113106398B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110389349.9
申请日：2021-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种镧锶锰氧薄膜制备方法，方法在脉冲激光沉积系统真空腔室内一定的温度与压力条件下，将处理好的基片利用脉冲激光沉积系统首先进行铝酸锶薄膜的沉积，对基片进行原位退火后，采用同样的方式在基片上进行镧锶锰氧薄膜的沉积，之后再进行原位退火，制备过程通过脉冲激光沉积系统进行原位监控。本发明在铝酸锶薄膜制备过程中采用了铝酸锶作为缓冲层，能够在较薄的厚度快速释放应力，所制备的镧锶锰氧薄膜具有良好的铁磁金属特性，满足自旋电子器件的要求，方法有效解决了现有技术中镧锶锰氧薄膜制备时在大晶格不匹配基片上死层较厚的问题，能够进一步推广应用于其它类型薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN113106398A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110389349.9
申请日：2021-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种镧锶锰氧薄膜制备方法，方法在脉冲激光沉积系统真空腔室内一定的温度与压力条件下，将处理好的基片利用脉冲激光沉积系统首先进行铝酸锶薄膜的沉积，对基片进行原位退火后，采用同样的方式在基片上进行镧锶锰氧薄膜的沉积，之后再进行原位退火，制备过程通过脉冲激光沉积系统进行原位监控。本发明在铝酸锶薄膜制备过程中采用了铝酸锶作为缓冲层，能够在较薄的厚度快速释放应力，所制备的镧锶锰氧薄膜具有良好的铁磁金属特性，满足自旋电子器件的要求，方法有效解决了现有技术中镧锶锰氧薄膜制备时在大晶格不匹配基片上死层较厚的问题，能够进一步推广应用于其它类型薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN114724955A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210416790.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , C23C14/28
Abstract: 本发明公开了一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法，所述镧锰氧/铱酸锶异质结是采用脉冲激光沉积法制备，经过预处理好的基片放入真空腔室内加热到一定的温度，在一定的氧气压力条件下，利用脉冲激光轰击靶材产生的等离子羽辉沉积样品，首先沉积铱酸锶薄膜，沉积结束后进行原位退火，之后在相同条件下以相同步骤继续沉积镧锰氧薄膜，最后再原位退火后降温至室温。本发明制备的镧锰氧/铱酸锶异质结制备方法简单快捷，所制备的镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜具有明显的界面磁性，通过调节异质结中镧锰氧的厚度可以有效的对异质结的界面磁性进行调控，在自旋电子器件领域有着广阔的应用前景。
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