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公开(公告)号：CN101026194A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710021060.1
申请日：2007-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1－10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO2层(23)，厚度为1－2nm或SiNx层，厚度为3－5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2－7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO2层(26)，厚度为1－2nm或SiNx层，厚度为3－5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2－7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8－20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。
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公开(公告)号：CN101645422B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200910181322.X
申请日：2009-07-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28
Abstract: 基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法，在硅衬底上利用局域氧化工艺形成窗口区域，在注入硼离子并去除SiO2膜后，采用以下步骤：1)在窗口区域制备隧穿氧化层：用氯化氢氧化工艺方法制备隧穿氧化层，厚度：3.5±0.5nm；2)制备纳米硅层层：采用低压化学气相淀积方法，形成高密度、单分散特性一致的nc-Si；nc-Si尺寸：15-20nm；3)制备氮化nc-Si层，对nc-Si氮化：对nc-Si氮化，形成相互电绝缘的nc-Si，同时在nc-Si周围形成势垒层，改善存储信息的保存时间，氮化后的nc-Si尺寸：5-10nm；4)制备氮化硅控制栅：厚度为20-30nm。
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公开(公告)号：CN100504564C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710025127.9
申请日：2007-07-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a-SiNz的三维限制微腔结构：即形成两个有源层的三维DBR限制结构的微腔；设有两个DBR位于两个有源层两侧微腔的谐振波长为λ，DBR包括4±10个周期的中低折射率层和高折射层的a-SiNx和a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射层的折射率之间a-SiNz薄膜，厚度为λ/(2n)；两个有源层之间的距离为m个周期，DBR的厚度d＝m×L，m为0.5-9.5，L为一个周期高低折射率薄膜的厚度。
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公开(公告)号：CN100464472C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710020973.1
申请日：2007-04-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a-SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射层的a-SiNx/a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a-SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。
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公开(公告)号：CN101030695A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710020973.1
申请日：2007-04-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a－SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射率层的a－SiNx/a－SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a－SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101114102A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710025127.9
申请日：2007-07-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a－SiNz的三维限制微腔结构：即形成两个有源层的三维DBR限制结构的微腔；设有两个DBR位于两个有源层两侧微腔的谐振波长为λ，DBR包括4±10个周期的中低折射率层和高折射层的a－SiNx和a－SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射层的折射率之间a－SiNz薄膜，厚度为λ/(2n)；两个有源层之间的距离为m个周期，DBR的厚度d＝m×L，m为0.5－9.5，L为一个周期高低折射率薄膜的厚度。
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公开(公告)号：CN101246817B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810020317.6
申请日：2008-02-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及一种制备绝缘层上硅量子线的方法，属于微纳电子学技术领域。该方法包括SOI衬底顶层硅减薄、清洗衬底、涂敷电子束抗蚀剂、绘制设计由量子岛构成量子线图形、曝光、显影、蒸铝、剥离、刻蚀、去铝步骤，使衬底材料的顶层形成所需量子线。本发明的方法巧妙利用电子束曝光过程中的邻近效应，用低端的曝光机实现了在SOI之类半导体衬底材料上刻蚀得到硅的纳米尺度的量子线。由于本发明的实施是用价格相对低廉的曝光机完成的，将大大降低器件的制作成本，因此有望应用于纳米电子学和光电子学器件的制作。
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公开(公告)号：CN101645422A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910181322.X
申请日：2009-07-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28
Abstract: 基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法，在硅衬底上利用局域氧化工艺形成窗口区域，在注入硼离子并去除SiO 2 膜后，采用以下步骤：1)在窗口区域制备隧穿氧化层：用氯化氢氧化工艺方法制备隧穿氧化层，厚度：3.5±0.5nm；2)制备纳米硅层层：采用低压化学气相淀积方法，形成高密度、单分散特性一致的nc-Si；nc-Si尺寸：15-20nm；3)制备氮化nc-Si层，对nc-Si氮化：对nc-Si氮化，形成相互电绝缘的nc-Si，同时在nc-Si周围形成势垒层，改善存储信息的保存时间，氮化后的nc-Si尺寸：5-10nm；4)制备氮化硅控制栅：厚度为20-30nm。
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公开(公告)号：CN100483744C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710021060.1
申请日：2007-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1-10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO2层(23)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2-7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO2层(26)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2-7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8-20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。
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公开(公告)号：CN101246817A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810020317.6
申请日：2008-02-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及一种制备绝缘层上硅量子线的方法，属于微纳电子学技术领域。该方法包括SOI衬底顶层硅减薄、清洗衬底、涂敷电子束抗蚀剂、绘制设计由量子岛构成量子线图形、曝光、显影、蒸铝、剥离、刻蚀、去铝步骤，使衬底材料的顶层形成所需量子线。本发明的方法巧妙利用电子束曝光过程中的邻近效应，用低端的曝光机实现了在SOI之类半导体衬底材料上刻蚀得到硅的纳米尺度的量子线。由于本发明的实施是用价格相对低廉的曝光机完成的，将大大降低器件的制作成本，因此有望应用于纳米电子学和光电子学器件的制作。
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