公开(公告)号：CN100464472C

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200710020973.1

申请日：2007-04-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  陈三 ,  钱波 ,  李卫 ,  张贤高 ,  李伟 ,  徐骏 ,  黄信凡

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10

Abstract: 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a-SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射层的a-SiNx/a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a-SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。

公开(公告)号：CN100437353C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410065998.X

申请日：2004-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  张永军 ,  刘嘉瑜 ,  马忠元 ,  黄信凡 ,  李伟 ,  李卫 ,  徐骏

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/00 ,  H01L21/00 ,  B82B3/00

Abstract: 纳米印章技术中纳米级模板的制备方法，先制备多层膜：多层膜为非晶硅(a-Si)/氮化硅(SiNX)、(a-SiC)/(SiNX)、(a-Ge)/(SiNX)、Ge/Si等多层膜调制结构，对上述多层膜样品的剖面进行切片、磨片与抛光，暴露出光洁的多层膜侧面，再进行选择性腐蚀，在多层膜样品的剖面形成纳米级浮雕模板。避免了使用昂贵的电子束光刻设备。采用等离子体化学汽相淀积(PECVD)技术制备的a-Si/SiNX多层膜的周期可精确控制到纳米量级，层厚最小可达到2nm，从而使模板的图案尺寸可减小到2nm，当图形转移到Si片上可产生纳米尺度的图案。

公开(公告)号：CN101030695A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710020973.1

申请日：2007-04-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  陈三 ,  钱波 ,  李卫 ,  张贤高 ,  李伟 ,  徐骏 ,  黄信凡

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10

Abstract: 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a－SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射率层的a－SiNx/a－SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a－SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。

公开(公告)号：CN100569631C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200810024440.5

申请日：2008-03-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  戴明 ,  甘新慧 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  李卫 ,  李伟 ,  赵伟明 ,  孙萍 ,  陈坤基

IPC: B82B3/00 ,  C23F1/12 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀绝热绝缘材料、去除蒸镀层表皮各步骤，形成相互绝热、绝缘的纳米相变材料阵列。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，获得高密度、高均匀度的锗锑碲和硅锑碲纳米点阵，使得相变材料的有源区的尺寸达到几十纳米甚至几纳米，有助于大大降低材料发生相变所需的电压和功耗，使硫系化合物纳米相变材料走出实验室，切实实现产业化。

公开(公告)号：CN1873923A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610085300.X

申请日：2006-06-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  黄信凡 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  李卫 ,  赵伟明 ,  孙萍

IPC: H01L21/30 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02

Abstract: 本发明涉及一种常温下用硅衬底上的单层CdTe纳米晶体作为掩模版，构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括1)、氧化、刻蚀；2)、铺设单层CdTe纳米晶体模版；3)、反应离子刻蚀；4)、去除模版和漂洗；5)、退火、钝化各步骤，完成高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的构筑。采用本发明的方法后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，在获得均匀分布的高密度纳米硅的同时，可对纳米晶粒表面进行有效钝化，以降低缺陷态密度，因而能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使纳米硅量子点走出实验室，切实实现产业化。

公开(公告)号：CN101244803A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810024440.5

申请日：2008-03-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  戴明 ,  甘新慧 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  李卫 ,  李伟 ,  赵伟明 ,  孙萍 ,  陈坤基

IPC: B82B3/00 ,  C23F1/12 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀绝热绝缘材料、去除蒸镀层表皮各步骤，形成相互绝热、绝缘的纳米相变材料阵列。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，获得高密度、高均匀度的锗锑碲和硅锑碲纳米点阵，使得相变材料的有源区的尺寸达到几十纳米甚至几纳米，有助于大大降低材料发生相变所需的电压和功耗，使硫系化合物纳米相变材料走出实验室，切实实现产业化。

公开(公告)号：CN100367467C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200610085300.X

申请日：2006-06-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  黄信凡 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  李卫 ,  赵伟明 ,  孙萍

IPC: H01L21/30 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02

Abstract: 本发明涉及一种常温下用硅衬底上的单层CdTe纳米晶体作为掩模版，构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括1)氧化、刻蚀；2)铺设单层CdTe纳米晶体模版；3)反应离子刻蚀；4)去除模版和漂洗；5)退火、钝化各步骤，完成高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的构筑。采用本发明的方法后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，在获得均匀分布的高密度纳米硅的同时，可对纳米晶粒表面进行有效钝化，以降低缺陷态密度，因而能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使纳米硅量子点走出实验室，切实实现产业化。

公开(公告)号：CN1658069A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200410065998.X

申请日：2004-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  张永军 ,  刘嘉瑜 ,  马忠元 ,  黄信凡 ,  李伟 ,  李卫 ,  徐骏

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/00 ,  H01L21/00

Abstract: 纳米印章技术中纳米级模板的制备方法，先制备多层膜：多层膜为非晶硅(a－Si)/氮化硅(SiNx)、(a－SiC)/(SiNx)、(a－Ge)/(SiNx)、Ge/Si等多层膜调制结构，对上述多层膜样品的剖面进行切片、磨片与抛光，暴露出光洁的多层膜侧面，再进行选择性腐蚀，在多层膜样品的剖面形成纳米级浮雕模板。避免了使用昂贵的电子束光刻设备。采用等离子体化学汽相淀积(PECVD)技术制备的a－Si/SiNx多层膜的周期可精确控制到纳米量级，层厚最小可达到2nm，从而使模板的图案尺寸可减小到2nm，当图形转移到Si片上可产生纳米尺度的图案。