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公开(公告)号：CN101645422B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200910181322.X
申请日：2009-07-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28
Abstract: 基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法，在硅衬底上利用局域氧化工艺形成窗口区域，在注入硼离子并去除SiO2膜后，采用以下步骤：1)在窗口区域制备隧穿氧化层：用氯化氢氧化工艺方法制备隧穿氧化层，厚度：3.5±0.5nm；2)制备纳米硅层层：采用低压化学气相淀积方法，形成高密度、单分散特性一致的nc-Si；nc-Si尺寸：15-20nm；3)制备氮化nc-Si层，对nc-Si氮化：对nc-Si氮化，形成相互电绝缘的nc-Si，同时在nc-Si周围形成势垒层，改善存储信息的保存时间，氮化后的nc-Si尺寸：5-10nm；4)制备氮化硅控制栅：厚度为20-30nm。
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公开(公告)号：CN101246817B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810020317.6
申请日：2008-02-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及一种制备绝缘层上硅量子线的方法，属于微纳电子学技术领域。该方法包括SOI衬底顶层硅减薄、清洗衬底、涂敷电子束抗蚀剂、绘制设计由量子岛构成量子线图形、曝光、显影、蒸铝、剥离、刻蚀、去铝步骤，使衬底材料的顶层形成所需量子线。本发明的方法巧妙利用电子束曝光过程中的邻近效应，用低端的曝光机实现了在SOI之类半导体衬底材料上刻蚀得到硅的纳米尺度的量子线。由于本发明的实施是用价格相对低廉的曝光机完成的，将大大降低器件的制作成本，因此有望应用于纳米电子学和光电子学器件的制作。
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公开(公告)号：CN101645422A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910181322.X
申请日：2009-07-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28
Abstract: 基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法，在硅衬底上利用局域氧化工艺形成窗口区域，在注入硼离子并去除SiO 2 膜后，采用以下步骤：1)在窗口区域制备隧穿氧化层：用氯化氢氧化工艺方法制备隧穿氧化层，厚度：3.5±0.5nm；2)制备纳米硅层层：采用低压化学气相淀积方法，形成高密度、单分散特性一致的nc-Si；nc-Si尺寸：15-20nm；3)制备氮化nc-Si层，对nc-Si氮化：对nc-Si氮化，形成相互电绝缘的nc-Si，同时在nc-Si周围形成势垒层，改善存储信息的保存时间，氮化后的nc-Si尺寸：5-10nm；4)制备氮化硅控制栅：厚度为20-30nm。
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公开(公告)号：CN101246817A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810020317.6
申请日：2008-02-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及一种制备绝缘层上硅量子线的方法，属于微纳电子学技术领域。该方法包括SOI衬底顶层硅减薄、清洗衬底、涂敷电子束抗蚀剂、绘制设计由量子岛构成量子线图形、曝光、显影、蒸铝、剥离、刻蚀、去铝步骤，使衬底材料的顶层形成所需量子线。本发明的方法巧妙利用电子束曝光过程中的邻近效应，用低端的曝光机实现了在SOI之类半导体衬底材料上刻蚀得到硅的纳米尺度的量子线。由于本发明的实施是用价格相对低廉的曝光机完成的，将大大降低器件的制作成本，因此有望应用于纳米电子学和光电子学器件的制作。
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