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公开(公告)号：CN112919456B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202110202823.2
申请日：2021-02-23
Applicant: 南京大学
IPC: C01B32/188
Abstract: 本发明公开了一种具有均一层厚的平整石墨烯生长方法及单层或双层石墨烯薄膜，属于二维材料制备领域。方法包括在超高真空条件下，在碳化硅晶片上，通过控制所述碳化硅晶片温度热解碳化硅，再在氮等离子体气氛下热解碳化硅生长石墨烯薄膜的步骤。采用本发明中氮等离子体辅助的制备方法，能够精确控制得到大面积单层或双层石墨烯，所得的单层或双层石墨烯层数精准，无裸露空洞或多层岛的出现，为二维材料制备领域提供了一种层数精确可控的大面积平整石墨烯薄膜的生长技术。
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公开(公告)号：CN113491522A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010262755.4
申请日：2020-04-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多通道生理信号的心动特征融合提取方法，它包括4个步骤——(1)对多通道生理信号提取关键时间段；(2)对关键时间段内的多通道生理信号进行包括扁平线与Z型线判别、基线漂移去除、工频干扰去除、起搏器尖峰滤除的预处理；(3)针对ECG信号、ABP信号、PPG信号提取各自的R峰位置与心动周期信息，并计算信号质量指数和关联质量指数；(4)根据信号质量指数与关联质量指数同信号质量采信阈值与关联质量采信阈值的比较情况，进行心动特征融合：结合ABP信号与PPG信号的心动周期信息，对ECG信号进行R峰探测，并和单独利用ECG信号探测的R峰位置做对比，选择性的进行R峰标记的添加或修改。本方法能充分利用多通道生理信号的心动周期信息，提升ECG信号R峰探测准确性，提升心律失常误报警抑制率，经实际数据测试，效果很好。
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公开(公告)号：CN108427453A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810494285.7
申请日：2018-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种超高真空下样品热处理工艺的自动化温度控制系统及方法，属于温度控制领域。它包括光学测温仪和真空规，还包括计算机和电流源，所述的光学测温仪和真空规位于超高真空样品加热设备内，红外测温仪和真空规与计算机连接，计算机与电流源连接，电流源与样品连接。利用温度对加热样品电流的负反馈，从而实现对温度简单，快捷，精准的控制，主要利用RS232串口连接各个仪器，然后计算光学测温仪测量得到的样品温度与事先设定好的样品温度之差，通过PID算法反馈设定电流源给样品所加电流。尽管不同的样品由于尺寸，制作等原因，加热所需电流各不相同，但本发明都可以在半分钟内将样品温度精确控制到设定温度1℃以内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112919456A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110202823.2
申请日：2021-02-23
Applicant: 南京大学
IPC: C01B32/188
Abstract: 本发明公开了一种具有均一层厚的平整石墨烯生长方法及单层或双层石墨烯薄膜，属于二维材料制备领域。方法包括在超高真空条件下，在碳化硅晶片上，通过控制所述碳化硅晶片温度热解碳化硅，再在氮等离子体气氛下热解碳化硅生长石墨烯薄膜的步骤。采用本发明中氮等离子体辅助的制备方法，能够精确控制得到大面积单层或双层石墨烯，所得的单层或双层石墨烯层数精准，无裸露空洞或多层岛的出现，为二维材料制备领域提供了一种层数精确可控的大面积平整石墨烯薄膜的生长技术。
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公开(公告)号：CN111690897B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202010580318.7
申请日：2020-06-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种超高真空腔体环境下通过分子束外延技术手段生长单原胞层二硒化钨薄膜并实现1T’和2H两种结构相的选择控制生长方法。具体为：选择适当的衬底，在分子束外延生长二硒化钨期间，通过精确控制衬底温度和生长时间，可以有效控制生长出100％单一结构相的1T’‑WSe2和100％单一结构相的2H‑WSe2薄膜。该控制方法提供了一种新的具有单一结构相的二维材料的相选择生长技术。
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公开(公告)号：CN116791038A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310765429.9
申请日：2023-06-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种超高真空腔体环境下通过分子束外延技术手段生长具有1T’结构相的单原胞层二硫化钨薄膜及其制备方法。方法包括在超高真空条件下，硫采用硫化亚铁为原料通过热蒸发源提供，控制衬底的温度，生长具有1T’亚稳结构相的单原胞层1T’‑WS2薄膜的步骤。该制备方法提供了一种新的具有单一亚稳结构相的二维材料的相选择生长技术。
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公开(公告)号：CN111690897A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010580318.7
申请日：2020-06-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种超高真空腔体环境下通过分子束外延技术手段生长单原胞层二硒化钨薄膜并实现1T’和2H两种结构相的选择控制生长方法。具体为：选择适当的衬底，在分子束外延生长二硒化钨期间，通过精确控制衬底温度和生长时间，可以有效控制生长出100％单一结构相的1T’-WSe2和100％单一结构相的2H-WSe2薄膜。该控制方法提供了一种新的具有单一结构相的二维材料的相选择生长技术。
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公开(公告)号：CN208538003U
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201820763323.X
申请日：2018-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种超高真空下样品热处理工艺的自动化温度控制系统，属于温度控制领域。它包括光学测温仪和真空规，还包括计算机和电流源，所述的光学测温仪和真空规位于超高真空样品加热设备内，红外测温仪和真空规与计算机连接，计算机与电流源连接，电流源与样品连接。利用温度对加热样品电流的负反馈，从而实现对温度简单，快捷，精准的控制，主要利用RS232串口连接各个仪器，然后计算光学测温仪测量得到的样品温度与事先设定好的样品温度之差，通过PID算法反馈设定电流源给样品所加电流。尽管不同的样品由于尺寸，制作等原因，加热所需电流各不相同，但本实用新型都可以在半分钟内将样品温度精确控制到设定温度1℃以内。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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