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公开(公告)号：CN112919456B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202110202823.2
申请日：2021-02-23
Applicant: 南京大学
IPC: C01B32/188
Abstract: 本发明公开了一种具有均一层厚的平整石墨烯生长方法及单层或双层石墨烯薄膜，属于二维材料制备领域。方法包括在超高真空条件下，在碳化硅晶片上，通过控制所述碳化硅晶片温度热解碳化硅，再在氮等离子体气氛下热解碳化硅生长石墨烯薄膜的步骤。采用本发明中氮等离子体辅助的制备方法，能够精确控制得到大面积单层或双层石墨烯，所得的单层或双层石墨烯层数精准，无裸露空洞或多层岛的出现，为二维材料制备领域提供了一种层数精确可控的大面积平整石墨烯薄膜的生长技术。
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公开(公告)号：CN1260137C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200410044885.1
申请日：2004-06-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种饮用水的处理方法，采用辐照的方法对城市饮用水进行处理，达到高效降解城市饮用水中氯化消毒副产，满足人们对高质量饮用水的需求。该方法对经过氯化消毒处理后的水体，利用高能电子束或者γ射线进行辐照处理，去除其中的卤代有机物，得到高质量的出水。
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公开(公告)号：CN119381104A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411625234.5
申请日：2024-11-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种极低电阻温度系数的埋嵌电阻薄膜材料，所述材料包括衬底、插入层和电阻层，采用溅射法将极低电阻温度系数的埋嵌薄膜电阻材料沉积于衬底上，通过改变退火温度得到极低电阻温度系数的埋嵌电阻材料，最多可以将电阻的温度系数提高38倍，提高埋嵌电阻薄膜材料的热稳定性，进而获得应用范围广、可重复性高、工艺简单、制备过程易于把控的埋嵌电阻薄膜材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112919456A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110202823.2
申请日：2021-02-23
Applicant: 南京大学
IPC: C01B32/188
Abstract: 本发明公开了一种具有均一层厚的平整石墨烯生长方法及单层或双层石墨烯薄膜，属于二维材料制备领域。方法包括在超高真空条件下，在碳化硅晶片上，通过控制所述碳化硅晶片温度热解碳化硅，再在氮等离子体气氛下热解碳化硅生长石墨烯薄膜的步骤。采用本发明中氮等离子体辅助的制备方法，能够精确控制得到大面积单层或双层石墨烯，所得的单层或双层石墨烯层数精准，无裸露空洞或多层岛的出现，为二维材料制备领域提供了一种层数精确可控的大面积平整石墨烯薄膜的生长技术。
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公开(公告)号：CN1583580A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410044885.1
申请日：2004-06-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种饮用水的处理方法，采用辐照的方法对城市饮用水进行处理，达到高效降解城市饮用水中氯化消毒副产，满足人们对高质量饮用水的需求。该方法对经过氯化消毒处理后的水体，利用高能电子束或者γ射线进行辐照处理，去除其中的卤代有机物，得到高质量的出水。
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公开(公告)号：CN1570079A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200310106415.9
申请日：2003-11-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于污染物生物处理技术领域，具体涉及一种高效降解硝基苯类污染物的细菌及其使用方法。所用菌株为革兰氏阴性菌，经鉴定属于假单胞菌属。该菌株的主要形态特征为：菌体呈细小的杆状，大小为(1.4μm～4.1μm)×(0.6μm～1.1μm)。它能以硝基苯为唯一碳源、氮源和能源，能将433.1ppm的硝基苯在24h内完全降解，对于796.5ppm的硝基苯在100h内也能降解98％。该菌株的使用范围包括含硝基苯类化合物废水的处理和硝基苯类化合物污染土壤的处理。
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