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公开(公告)号：CN117776096A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311667273.7
申请日：2023-12-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种金属3D纳米结构阵列的制备方法，属于微纳米加工技术领域，本发明先在基底上镀一层金属膜，然后依次旋涂传递胶层和压印胶层，再将模板贴合在压印胶层上，在紫外光的照射下进行压印，结束后去掉模板，得到浮雕式纳米阵列结构，接着进行离子束刻蚀，再依次置于丙酮和去离子水中超声清洗，最后进行刻蚀，得到金属3D纳米结构阵列。采用该方法能够制备得到金属纳米柱、纳米杯、纳米沟道等3D纳米结构阵列，与现有方法相比，该方法操作简单、成本低廉、可大面积制备，本发明制备的金属3D纳米结构阵列适合用于拉曼检测、结构色、生物传感等领域。
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公开(公告)号：CN117736378A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311755901.7
申请日：2023-12-20
Applicant: 南京大学
IPC: C08F283/00 , C08F222/20 , C08F2/48 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米压印用紫外光固化弹性体及其制备方法、应用，涉及纳米压印技术领域，所述弹性体的原料为高分子预聚物和光引发剂的混合物，其中，所述高分子预聚物的含量为92.00wt％～98.00wt％；所述光引发剂的含量为2.00wt％～8.00wt％。制备方法包括如下步骤：步骤一、将聚氨酯类齐聚物、丙烯酸酯单体和光引发剂混合，并搅拌均匀；步骤二、将步骤一中搅拌均匀的混合物倒入模具中；置于氮气环境下至少5min；步骤三、在光照下对模具中的混合物进行固化；所述光照的波长在365～405nm之间，功率在6W～50W之间，时间5min；步骤四、将固化物从模具中剥离，得到紫外光固化弹性体。本发明紫外光固化弹性体的制备流程简单、制备时间短、性能好。
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公开(公告)号：CN117660897A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311667272.2
申请日：2023-12-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比微米结构金属电极基底的制备方法，将板状结构的压印衬底加热至玻璃化转变温度，再将压印模板置于压印衬底上，压印模板为具有凸出的圆柱阵列的模板，圆柱直径为2～60μm，高度为20～300μm，且圆柱的高度与直径的比例为(8～10):1；施加压力压印后去掉模板，冷却后，在压印样品上沉积金属种子层，得到电沉积预处理样品，以其为阴极，进行电沉积，结束后取出，去掉压印衬底，即得。与传统工艺相比，该方法工艺流程少、耗时短、成本低，并且微结构的深宽比及金属的种类可控，能够满足不同催化体系的使用需求。本发明制备的电极基底具有高深宽比微米结构，比表面积大，有利于电催化剂的负载和催化活性的提升。
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公开(公告)号：CN110804276A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910995688.4
申请日：2019-10-18
Applicant: 南京大学
IPC: C08L63/00 , C08K5/3475 , C08F216/14 , C08F216/12 , C08F283/10 , B33Y70/10
Abstract: 本发明公开了一种高分辨光固化三维打印复合物，包括环氧单体及齐聚物或乙烯基醚单体及齐聚物，以及环氧树脂和乙烯基醚树脂的混合物、鎓盐型光酸剂、三取代有机胺酸扩散抑制剂、夺氢型自由基光引发剂和紫外光屏蔽吸收剂；鎓盐型光酸剂占复合物质量百分比的0.5～10％；夺氢型自由基光引发剂与鎓盐型光酸剂的质量比为1:10～1:1；三取代有机胺酸扩散抑制剂与鎓盐型光酸剂的质量比为1:100～1:2，紫外光屏蔽吸收剂占复合物质量的百分比为0.1～5％。本发明的复合物材料固化速度快，可获得横向亚微米以下的3D打印分辨率。
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公开(公告)号：CN105303222B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510770189.7
申请日：2015-11-12
Applicant: 南京大学
IPC: G06K19/06
Abstract: 本发明公开一种激光投影式防伪标签及其制备方法，属于光学防伪和微纳加工领域。所述标签表面为单层或多层无序的纳米级浮雕结构，经激光照射后可呈现防伪图像。本发明的标签表面结构通过计算机辅助光学设计，利用衍射光学和傅里叶光学变换将防伪图像转变为标签表面的相位调制结构。在相同的入射光的条件下，不同的防伪图像对应不同的标签表面。所述标签的制备方法包括光刻制备母模板、电镀制备镍模板和纳米压印制备标签。本发明中的激光投影式防伪标签，借助普通激光笔作为鉴定手段，投影出来的防伪图标亮度大、视觉冲击力强，区别于普通激光全息标签光变图像反差小、难以鉴别的特点，可有效地提高标签的防伪性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109795979B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201811631703.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体涉及一种具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法。该制备方法包括在基底表面依次旋涂高分子层和紫外固化胶层，通过紫外压印、刻蚀、蒸镀、举离得到具有纳米孔阵列结构金属层的衬底，然后对基底进行刻蚀得到具有纳米孔阵列结构的基底，在基底表面、孔底及孔侧壁上镀上金属，刻蚀基底表面及孔底部平面上的金属层，得到内嵌金属环的纳米孔阵列结构。该制备方法通过控制模板结构、刻蚀和镀膜工艺参数对金属环的结构、尺寸、分布进行调整，从而调控金属纳米环阵列产生的局域表面等离激元效应，与具有纳米孔阵列结构的衬底带来的陷光效应协同作用，在光电器件、光催化等领域能够进一步提高光的转化效率。
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公开(公告)号：CN109795979A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811631703.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体涉及一种具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法。该制备方法包括在基底表面依次旋涂高分子层和紫外固化胶层，通过紫外压印、刻蚀、蒸镀、举离得到具有纳米孔阵列结构金属层的衬底，然后对基底进行刻蚀得到具有纳米孔阵列结构的基底，在基底表面、孔底及孔侧壁上镀上金属，刻蚀基底表面及孔底部平面上的金属层，得到内嵌金属环的纳米孔阵列结构。该制备方法通过控制模板结构、刻蚀和镀膜工艺参数对金属环的结构、尺寸、分布进行调整，从而调控金属纳米环阵列产生的局域表面等离激元效应，与具有纳米孔阵列结构的衬底带来的陷光效应协同作用，在光电器件、光催化等领域能够进一步提高光的转化效率。
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公开(公告)号：CN109795975A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811631648.3
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体涉及一种金属微/纳米线阵列及其制备方法。该金属微/纳米线阵列包括支撑层金属薄片和竖立在所述金属薄片上的金属微/纳米线。该金属微/纳米线阵列具有大的深宽比，且该金属微/纳米线的直径、高度和金属薄片的厚度可以精确控制；金属微/纳米线直接竖立在金属薄片上，相互之间无交叉和重叠，提高了比表面积和重复利用率；该金属微/纳米线阵列可以应用于制备大深宽比、柔性的纳米器件。该制备方法以具有较好刚性和刻蚀稳定性的材料为衬底，可以保证刻蚀过程中不易出现坍塌等问题，得到高深宽比的微/纳米线阵列；此外，本方法可以通过控制刻蚀时间，精确控制微/纳米线的高度。
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公开(公告)号：CN105800550A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610211924.5
申请日：2016-04-06
Applicant: 南京大学
CPC classification number: B82B3/0014 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种利用共混聚合物相分离制备纳米结构的方法，具体的制备步骤如下：a)将聚苯乙烯和含硅的紫外光固化胶以一定比例溶解在甲苯中，待充分溶解形成共混相分离溶液；b)将共混相分离溶液以一定转速旋涂在衬底表面，发生相分离，得到共混薄膜；c)对共混薄膜进行紫外光固化处理，曝光时间为5?10分钟；d)利用反应离子刻蚀技术，用O2等离子体在一定流量和一定功率下刻蚀除去共混薄膜中的聚苯乙烯，留下含硅的紫外光固化胶相，即可得到纳米结构。本发明的方法具有操作简单、容易实现以及成本低等优点，其制备的薄膜可以应用在纳米压印模板、表面增强拉曼散射衬底以及减反材料等方面，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN118604931A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410370407.7
申请日：2024-03-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高折射率高深宽比倾斜光栅制备方法，包括基底、有机掺杂高折胶层和UV固化压印胶层，所述有机掺杂高折胶层包括主体组分和掺杂组分，所述主体组分为烷氧基十二烷基丙稀酸脂、2‑苯氧基乙基丙烯酸酯混合物中的任一种及其组合，掺杂组分为含有硫元素的材料，包括如下步骤：S1：在基底表面依次旋涂两层胶体，由下往上分别为有机掺杂高折胶以及UV固化压印胶，形成有机掺杂高折胶层和UV固化压印胶层；S2：在UV固化压印胶层上制作直角光栅，同时形成残余层；S3：通过刻蚀工艺对UV固化压印胶层的残余层进行处理；S4：倾斜基底，以UV固化压印胶层上的直角光栅为掩膜对有机掺杂高折胶层进行刻蚀，获得高折射率高深宽比倾斜光栅。
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