公开(公告)号：CN114199806B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202111513883.2

申请日：2021-12-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 王晓亮 ,  薛奇 ,  李剑 ,  封成东 ,  李林玲 ,  周东山

IPC: G01N21/35 ,  G01N21/3563 ,  G01Q60/24

Abstract: 用AFM‑IR检测微纳米粗糙的铜箔表面有机物分布的方法，应用基于原子力显微成像‑红外光谱技术对PCB用铜箔表面任意一点进行红外光谱全谱扫描，获取铜箔表面吸附的硅烷偶联剂的红外特征吸收谱图，选择谱图中的硅烷偶联剂强度最大的特征峰作为AFM‑IR的红外检测波长，然后用这一检测波长对5μm×5μm区域进行扫描以获取该区域内的硅烷偶联剂的信号强度分布数据，使用数据处理软件进行数据处理，生成铜箔表面硅烷偶联剂的三维立体分布图像，表征硅烷偶联剂的空间分布状态。

公开(公告)号：CN114199806A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111513883.2

申请日：2021-12-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 王晓亮 ,  薛奇 ,  李剑 ,  封成东 ,  李林玲 ,  周东山

IPC: G01N21/35 ,  G01N21/3563 ,  G01Q60/24

Abstract: 用AFM‑IR检测微纳米粗糙的铜箔表面有机物分布的方法，应用基于原子力显微成像‑红外光谱技术对PCB用铜箔表面任意一点进行红外光谱全谱扫描，获取铜箔表面吸附的硅烷偶联剂的红外特征吸收谱图，选择谱图中的硅烷偶联剂强度最大的特征峰作为AFM‑IR的红外检测波长，然后用这一检测波长对5μm×5μm区域进行扫描以获取该区域内的硅烷偶联剂的信号强度分布数据，使用数据处理软件进行数据处理，生成铜箔表面硅烷偶联剂的三维立体分布图像，表征硅烷偶联剂的空间分布状态。