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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101892181B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010180437.X
申请日：2010-05-24
Applicant: 南京大学
IPC: C12N1/20 , C12P17/18 , C07D491/22 , A61K31/407 , A61P31/04 , C12R1/465
Abstract: 本发明属于生物制药技术领域，具体涉及从海洋放线菌(Streptomyces seoulensis)液体发酵物中提取的汉城链霉素(streptoseomycin)及其制备方法与应用。汉城链霉素从海洋来源的汉城链霉菌分离纯化发酵生产获得。汉城链霉素(streptoseomycin)对厌氧菌有很强的抑制作用，且对细胞没有毒性，因此汉城链霉素可作为抗生素生产的先导化合物，并在制备抗生素药物中得到应用。
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公开(公告)号：CN109950393B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201910191817.4
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种可堆叠大面积制备的纳米线交叉点阵列阻变存储器件结构的制备方法，包括：利用树脂胶体材料转移法，实现硅纳米线阵列与薄膜材料的交替堆叠与交叉分布，形成三维空间的薄膜夹层硅纳米线交叉点阵列结构；交替堆叠过程中，以顶层硅纳米线为掩模，借助刻蚀设备，将网格部分无纳米线遮挡的薄膜材料刻蚀，从而得到纳米线交叉点与夹层薄膜材料的极小点接触结构，为制备忆阻器件提供准直性极强的垂直导电通道。本发明不需要引入价格昂贵的微纳操控技术(如纳米机械手臂)，仅使用简单转移技术实现纳米材料的定向堆叠，同时利用硅纳米线作为掩模对薄膜材料进行精确刻蚀，可靠地制备纳米级“三明治”式点对点接触结构的电子器件。
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公开(公告)号：CN109950393A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910191817.4
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种可堆叠大面积制备的纳米线交叉点阵列阻变存储器件结构的制备方法，包括：利用树脂胶体材料转移法，实现硅纳米线阵列与薄膜材料的交替堆叠与交叉分布，形成三维空间的薄膜夹层硅纳米线交叉点阵列结构；交替堆叠过程中，以顶层硅纳米线为掩模，借助刻蚀设备，将网格部分无纳米线遮挡的薄膜材料刻蚀，从而得到纳米线交叉点与夹层薄膜材料的极小点接触结构，为制备忆阻器件提供准直性极强的垂直导电通道。本发明不需要引入价格昂贵的微纳操控技术(如纳米机械手臂)，仅使用简单转移技术实现纳米材料的定向堆叠，同时利用硅纳米线作为掩模对薄膜材料进行精确刻蚀，可靠地制备纳米级“三明治”式点对点接触结构的电子器件。
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公开(公告)号：CN109911847A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910191518.0
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法，通过将引导沟道侧壁生长的纳米线阵列转移至预拉伸的柔性衬底，释放衬底时衬底回缩使得纳米线阵列间距减小，通过多次重复转移不断缩小纳米线阵列间距，实现平面高密度纳米线阵列的方法。本发明提供了一种获得高密度平面纳米线阵列的可靠方法，基于转移技术可将平面高密度纳米线阵列大面积转移至任意衬底，可广泛应用于半导体微纳电子器件，尤其针对大面积电子(平板显示TFT应用)、逻辑、柔性/可穿戴电子和场效应生物化学传感器件。
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公开(公告)号：CN101892181A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010180437.X
申请日：2010-05-24
Applicant: 南京大学
IPC: C12N1/20 , C12P17/18 , C07D491/22 , A61K31/407 , A61P31/04 , C12R1/465
Abstract: 本发明属于生物制药技术领域，具体涉及从海洋放线菌(Streptomyces seoulensis)液体发酵物中提取的汉城链霉素(streptoseomycin)及其制备方法与应用。汉城链霉素从海洋来源的汉城链霉菌分离纯化发酵生产获得。汉城链霉素(streptoseomycin)对厌氧菌有很强的抑制作用，且对细胞没有毒性，因此汉城链霉素可作为抗生素生产的先导化合物，并在制备抗生素药物中得到应用。
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