公开(公告)号：CN102392216A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110374157.7

申请日：2011-11-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 孟祥康 ,  汪蕾 ,  操振华 ,  胡坤 ,  佘茜玮

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  H01L21/285

Abstract: 一种制备高热稳定性Ru/TaN双层扩散阻挡材料的制备方法，采用直流磁控溅射法，通过调节N气流量来实现对非晶TaN薄膜中N含量的精确控制，制备不同N含量的高性能双层Ru/TaN扩散阻挡层结构，有效工作稳定高达650℃。TaN薄膜中间隙的N原子在退火过程中扩散后可以提高Ru/TaN双层膜的扩散阻挡性能。通过对N含量的精确控制，可得到高热稳定性的双层Ru/TaN扩散阻挡材料并且仍然保持优良的电学性能，更好的保证了其实际应用。本发明操作简单，重复性好，实现效果良好。

公开(公告)号：CN102418078A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110419244.X

申请日：2011-12-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 孟祥康 ,  操振华 ,  胡坤 ,  汪蕾 ,  佘茜玮 ,  李平云

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 超高强度纳米晶金属Ru薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法，步骤为：衬底材料选用单晶Si片，先抽本底真空至1.5×10-5Pa，然后通入流量为20sccm的Ar气，通过分子泵阀门调节真空室真空度为5.0Pa，然后开始启辉，进行约30min的预溅射以保证薄膜的纯度，随后将真空度调至约1.1Pa开始生长Ru膜，直流磁控溅射功率保持为200W，对Ru靶进行约30min的预溅射；根据调节溅射时间来控制薄膜的厚度，薄膜厚度控制在1-2.5μm。最高硬度可达18.8GPa，约为粗晶Ru的8倍。该发明更好地保证了金属Ru膜在微电子器件中的应用，本发明具有良好的可控性与重复性。